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New electronic surface states on In-terminated InAs(001)4x2-c(8x2) clean surface (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- New electronic surface states on In-terminated InAs(001)4x2-c(8x2) clean surface (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
De Padova P., Perfetti P., Quaresima C., Richter C., Heckmann O., Zerrouki M., Johnson R.L., Hricovini K. (2003)
New electronic surface states on In-terminated InAs(001)4x2-c(8x2) clean surface
in Surface science
(literal)
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- De Padova P., Perfetti P., Quaresima C., Richter C., Heckmann O., Zerrouki M., Johnson R.L., Hricovini K. (literal)
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- Rivista
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- Presentato comeprodotto da IRENE PAOLA DE PADOVA per il periodo 2001-2003 (literal)
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- La realizzazione e lo studio delle proprietà elettroniche di nanostrutture a bassa dimensionalità sono oggi oggetto di grande attenzione nel campo della ricerca sulla materia condensata. Le nanostrutture presentano proprietà differenti rispetto alle loro controparti macroscopiche a causa del confinamento degli elettroni in una o più direzioni. Come esempio, il confinamento elettronico porta alla formazione di stati localizzati, in buche, fili e punti quantici e alla formazione di minibande artificiali nei superreticoli. Tra le molte procedure usate per realizzare tali strutture, quelle più comuni impiegano tecniche che sfruttano la tendenza degli atomi, in particolari condizioni, ad auto organizzarsi in strutture a bassa dimensionalità.
La superficie pulita (001)(4x2)-c(8x2) dellInAs, presenta catene monodimensionali di indio. Questa superficie ha attirato lattenzione dei ricercatori per le sue applicazioni come matrice incorporante elementi magnetici in vista dello sviluppo di una nuova classe di dispositivi magnetoelettronici. Malgrado i molti studi dedicati alla formazione dellinterfaccia metallo/InAs, meno attenzione è stata dedicata alla superficie pulita. Il presente lavoro mette in evidenza un nuovo stato elettronico di superficie la cui presenza negli spettri di fotoemissione dipende dalla ricostruzione, dalla polarizzazione e dallenergia della radiazione incidente e dallorientazione delle catene di indio rispetto al campo elettrico della radiazione.
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- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
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- CNR - ISM
University Neuville/Oise, Cergy-Pontoise (France)
University Hamburg (Germany)
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- Titolo
- New electronic surface states on In-terminated InAs(001)4x2-c(8x2) clean surface (literal)
- Abstract
- We report the studies of electronic structure of the InAs(001)4x2-c(8x2) surface by performing angle-resolved photoemission spectroscopy, LEED and STM measurements. The reconstruction of the clean surface was obtained by ion bombardment and annealing procedure. STM pictures show an ordered array of In-chains, and the photoemission experiments reveal new electronic surface structures. The intensity of these structures, which are located at binding energy of -2.94 and -1.05 eV, strongly depend on the surface preparation, and on the light polarization. They are non-dispersive with the photon energy. (literal)
- Prodotto di
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