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Efficient exciplex emitting organic electroluminescent device (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Efficient exciplex emitting organic electroluminescent device (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
Cocchi M., Virgili D., Giro G., Fattori V., Di Marco P., Kalinowski J., Shirota Y. (2002)
Efficient exciplex emitting organic electroluminescent device
in Applied physics letters
(literal)
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- Cocchi M., Virgili D., Giro G., Fattori V., Di Marco P., Kalinowski J., Shirota Y. (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
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- Oggetto di brevetto internazionale (literal)
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- Rivista
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- Il lavoro riporta per la prima volta un dispositivo elettroluminescente in cui l'emissione avviene con alta efficienza (17%) da un complesso eccitato (ecciplesso) che si forma all'interfase tra i due strati organici che costituiscono il dispositivo. (literal)
- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
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- Istituto per la Sintesi Organica e la Reattività (ISOF)-CNR Bologna; Università di Danzica (Polonia); Universita di Osaka (Giappone) (literal)
- Titolo
- Efficient exciplex emitting organic electroluminescent device (literal)
- Abstract
- Organic electroluminescent (EL) single-layer (SL) and double-layer (DL) light-emitting diodes were fabricated based on 4,4',4''-tris[3-methylphenyl(phenyl)amino] triphenylamine (m-MTDATA) and 2-(biphenyl-4-yl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole (PBD) molecules incorporated in bisphenol-A-polycarbonate (PC)matrix. The external EL quantum efficiency of the dominating exciplex emission of the indium tin oxide (ITO)/m-MTDATA:PBD:PC/Ca SL structure is >0.4% photon/electron and that from the ITO/m-MTDATA:PC/PBD/Ca DL device exceeds 1% photon/electron. The operating voltage of the DL device at maximum efficiency is 4.8 V and the onset
voltage of the EL is as low as 2.0 V. The photoluminesce quantum efficiency of the exciplex is greater than 17%. The high exciplex emission-based EL yield from the DL device is attributed to the narrow recombination zone imposed by the high energy barriers for the electron and hole transfer at the (m-MTDATA:PC)/PBD interface. (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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