Filling factor dependence of the fractional quantum hall effect gap (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Filling factor dependence of the fractional quantum hall effect gap (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Khrapai, VS; Shashkin, AA; Trokina, MG; Dolgopolov, VT; Pellegrini, V; Beltram, F; Biasiol, G; Sorba, L (2008)
  Filling factor dependence of the fractional quantum hall effect gap
  in Physical review letters (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Khrapai, VS; Shashkin, AA; Trokina, MG; Dolgopolov, VT; Pellegrini, V; Beltram, F; Biasiol, G; Sorba, L (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 100 (literal)

Rivista

• Physical review letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• \"[Khrapai, V. S.; Shashkin, A. A.; Trokina, M. G.; Dolgopolov, V. T.] Russian Acad Sci, Inst Solid State Phys, Chernogolovka 142432, Moscow Dist, Russia; [Pellegrini, V.; Beltram, F.] Scuola Normale Super Pisa, NEST INFM CNR, I-56126 Pisa, Italy; INFM CNR, Lab TASC, I-34012 Trieste, Italy; NEST INFM CNR, I-34012 Trieste, Italy (literal)

Titolo

• Filling factor dependence of the fractional quantum hall effect gap (literal)

Abstract

• We directly measure the chemical potential jump in the low-temperature limit when the filling factor traverses the nu=1/3 and nu=2/5 fractional gaps in two-dimensional (2D) electron system in GaAs/AlGaAs single heterojunctions. In high magnetic fields B, both gaps are linear functions of B with slopes proportional to the inverse fraction denominator, 1/q. The fractional gaps close partially when the Fermi level lies outside. An empirical analysis indicates that the chemical potential jump for an ideal 2D electron system, in the highest accessible magnetic fields, is proportional to q(-1)B(1/2). (literal)

Prodotto di

• Nanostrutture a semiconduttore per la nanoelettronica e la spin-fotonica (MD.P06.021.001) (Modulo)
• Sintesi di materiali semiconduttori a bassa dimensionalità (MD.P06.018.002) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)

Autore CNR

• VITTORIO PELLEGRINI (Unità di personale interno)
• FABIO BELTRAM (Unità di personale esterno)
• LUCIA SORBA (Persona)
• GIORGIO BIASIOL (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Filling factor dependence of the fractional quantum hall effect gap" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• VITTORIO PELLEGRINI (Unità di personale interno)
• GIORGIO BIASIOL (Unità di personale interno)
• LUCIA SORBA (Persona)
• FABIO BELTRAM (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Sintesi di materiali semiconduttori a bassa dimensionalità (MD.P06.018.002) (Modulo)
• Nanostrutture a semiconduttore per la nanoelettronica e la spin-fotonica (MD.P06.021.001) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)

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• Physical review letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Filling factor dependence of the fractional quantum hall effect gap" (Insieme di parole chiave)