Transport anisotropy in InGaAs 2D electron gases (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Transport anisotropy in InGaAs 2D electron gases (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Rosini, M; Cancellieri, E; Ercolani, D; Biasiol, G; Jacoboni, C; Sorba, L (2008)
  Transport anisotropy in InGaAs 2D electron gases
  in Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Rosini, M; Cancellieri, E; Ercolani, D; Biasiol, G; Jacoboni, C; Sorba, L (literal)

Pagina inizio

• 1392 (literal)

Pagina fine

• 1394 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 40 (literal)

Rivista

• Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• \"[Rosini, M.; Cancellieri, E.; Ercolani, D.; Jacoboni, C.] Univ Modena & Reggio Emila, Dept Phys, I-41100 Modena, Italy; [Rosini, M.; Cancellieri, E.; Jacoboni, C.] INFM, CNR, Res Ctr S3, I-41100 Modena, Italy; [Ercolani, D.; Biasiol, G.; Sorba, L.] INFM, CNR, Lab Nazl TASC, I-34012 Trieste, Italy; [Sorba, L.] Scuola Normale Super Pisa, I-56126 Pisa, Italy (literal)

Titolo

• Transport anisotropy in InGaAs 2D electron gases (literal)

Abstract

• Low temperature electron mobility of a 2D electron gas, formed in a 20 nm thick In0.75Ga0.25As/In0.75Al0.25As Quantum Well grown on a (001) GaAs substrate, shows a pronounced difference between the [110] and the [1 (1) over bar0] crystallographic directions. This anisotropy cannot be explained by the traditional models for the roughness scattering. A promising candidate as the mobility limiting mechanism is the conduction band energy modulation, correlated to the surface roughness. Using the Landauer approach based on the numerical solution of the Schrodinger equation, an estimation of the conductance along the two directions can be obtained and a theoretical explanation of the anisotropy can be made. The dependence of the conductance upon the length of the device is also investigated. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved. (literal)

Prodotto di

• Sintesi di materiali semiconduttori a bassa dimensionalità (MD.P06.018.002) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)
• Teoria e simulazione di materiali nanostrutturati (MD.P06.012.001) (Modulo)

Autore CNR

• MARCELLO ROSINI (Unità di personale esterno)
• CARLO JACOBONI (Unità di personale esterno)
• GIORGIO BIASIOL (Unità di personale interno)
• DANIELE ERCOLANI (Persona)
• LUCIA SORBA (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• MARCELLO ROSINI (Unità di personale esterno)
• GIORGIO BIASIOL (Unità di personale interno)
• CARLO JACOBONI (Unità di personale esterno)
• LUCIA SORBA (Persona)
• http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/unitaDiPersonaleEsterno/ID12759
• DANIELE ERCOLANI (Persona)

Prodotto

• Teoria e simulazione di materiali nanostrutturati (MD.P06.012.001) (Modulo)
• Sintesi di materiali semiconduttori a bassa dimensionalità (MD.P06.018.002) (Modulo)
• Sintesi e studio delle proprieta' strutturali, ottiche ed elettroniche di sistemi aventi almeno una dimensione nanometrica (MD.P06.018.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Rivista)