Vertically stacked non-volatile memory devices - material considerations (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Vertically stacked non-volatile memory devices - material considerations (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Godlewski, M; Guziewicz, E; Szade, J; Wojcik-Glodowska, A; Wachnicki, L; Krajewski, T; Kopalko, K; Jakiela, R; Yatsunenko, S; Przezdziecka, E; Kruszewski, P; Huby, N; Tallarida, G; Ferrari, S (2008)
  Vertically stacked non-volatile memory devices - material considerations
  in Microelectronic engineering
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Godlewski, M; Guziewicz, E; Szade, J; Wojcik-Glodowska, A; Wachnicki, L; Krajewski, T; Kopalko, K; Jakiela, R; Yatsunenko, S; Przezdziecka, E; Kruszewski, P; Huby, N; Tallarida, G; Ferrari, S (literal)

Pagina inizio

• 2434 (literal)

Pagina fine

• 2438 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 85 (literal)

Rivista

• Microelectronic engineering (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• \"[Godlewski, M.; Guziewicz, E.; Wojcik-Glodowska, A.; Wachnicki, L.; Krajewski, T.; Kopalko, K.; Jakiela, R.; Yatsunenko, S.; Przezdziecka, E.; Kruszewski, P.] Polish Acad Sci, Inst Phys, Dept Solid State Spect, PL-02668 Warsaw, Poland; [Godlewski, M.; Wachnicki, L.] Cardinal S Wyszynski Univ, Coll Sci, Dept Mat & Nat Sci, Warsaw, Poland; [Szade, J.] Silesian Univ, Inst Phys, PL-40007 Katowice, Poland; [Huby, N.; Tallarida, G.; Ferrari, S.] INFM, CNR, Lab Nazl MDM, I-20041 Agrate Brianza, Italy (literal)

Titolo

• Vertically stacked non-volatile memory devices - material considerations (literal)

Abstract

• Properties of ZnO films grown by atomic layer deposition at low temperature are described. By selecting appropriate precursors and their pulses we obtained films with controlled electrical properties - from heavily n-type to p-type. Parameters of constructed Schottky and p-n junction are good enough for their application in a new generation of memory devices with cross-bar architecture. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved. (literal)

Prodotto di

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Nanobiosistemi (MD.P06.010.001) (Modulo)

Autore CNR

• GRAZIELLA TALLARIDA (Persona)
• NOLWENN HUBY (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Vertically stacked non-volatile memory devices - material considerations" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• GRAZIELLA TALLARIDA (Persona)
• NOLWENN HUBY (Persona)

Prodotto

• Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.001) (Modulo)
• Nanobiosistemi (MD.P06.010.001) (Modulo)

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• Microelectronic engineering (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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