Atomic lithography with barium atoms (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Atomic lithography with barium atoms (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1016/j.apsusc.2005.03.001 (literal)
Alternative label
  • A.Fioretti; A.Camposeo; F.Tantussi; E.Arimondo; S.Gozzini; C.Gabbanini (2005)
    Atomic lithography with barium atoms
    in Applied surface science
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • A.Fioretti; A.Camposeo; F.Tantussi; E.Arimondo; S.Gozzini; C.Gabbanini (literal)
Pagina inizio
  • 196 (literal)
Pagina fine
  • 200 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 248 (literal)
Rivista
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • IPCF-CNR Dip.Fisica, Uni.Pisa (literal)
Titolo
  • Atomic lithography with barium atoms (literal)
Abstract
  • We present the formation of structures created by barium atoms using a lithographic technique. The interaction of barium atoms with the resist, followed by an etching process, creates well defined structures with features below 100 nm. The interaction of the ground state of Ba atoms with the molecules forming the self-assembled monolayer (SAM) is compared with the metastable Ba atoms-SAM interaction. The results show that metastable atoms require a lower Ba dose per SAM molecule to damage the resist, therefore increasing the efficiency of the process. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi
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