Polarization anisotropy of individual core/shell GaAs/AlGaAs nanowires by photocurrent spectroscopy (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Polarization anisotropy of individual core/shell GaAs/AlGaAs nanowires by photocurrent spectroscopy (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3578189 (literal)

Alternative label

• Persano A, Nabet B, Taurino A, Prete P, Lovergine N, Cola A (2011)
  Polarization anisotropy of individual core/shell GaAs/AlGaAs nanowires by photocurrent spectroscopy
  in Applied physics letters; American Institute of Physics, Melville [NY] (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Persano A, Nabet B, Taurino A, Prete P, Lovergine N, Cola A (literal)

Pagina inizio

• 153106-1 (literal)

Pagina fine

• 153106-3 (literal)

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• http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=WOS&search_mode=Refine&qid=4&SID=Y1LBGJajaOmaDA8PhoA&page=7&doc=69 (literal)

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• 98 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

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• 3 (literal)

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• 15 (literal)

Note

• Scopu (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• Natl Council Res IMM CNR, Inst Microelect & Microsyst, Unit Lecce, I-73100 Lecce, Italy Drexel Univ, Dept Elect & Comp Engn, Philadelphia, PA 19104 USA Univ Salento, Dept Innovat Engn, I-73100 Lecce, Italy (literal)

Titolo

• Polarization anisotropy of individual core/shell GaAs/AlGaAs nanowires by photocurrent spectroscopy (literal)

Abstract

• We investigate the photodetection properties of individual core/shell GaAs/AlGaAs nanowires (NWs) and, in particular, their behavior under linearly polarized light. The NWs are grown by Au-assisted metalorganic vapor phase epitaxy and electrical contacts are defined on NWs by electron beam induced deposition. The spectral photocurrent of the single NW is measured and the dependence of the polarization anisotropy rho (varying from similar to 0.1 to similar to 0.55) on the absorption wavelength is found to be clearly affected by the core/shell structure. High quantum efficiency values (10% at 600 nm) are obtained which are attractive for a wide range of optoelectronic devices. (literal)

Editore

• American Institute of Physics (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• materiali e processi per la realizzazione di dispositivi per la conversione di energia (MD.P05.019.001) (Modulo)

Autore CNR

• ANNA PERSANO (Unità di personale interno)
• PAOLA PRETE (Persona)
• ADRIANO COLA (Unità di personale interno)
• ANTONIETTA TAURINO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Polarization anisotropy of individual core/shell GaAs/AlGaAs nanowires by photocurrent spectroscopy" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• materiali e processi per la realizzazione di dispositivi per la conversione di energia (MD.P05.019.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ADRIANO COLA (Unità di personale interno)
• ANTONIETTA TAURINO (Unità di personale interno)
• PAOLA PRETE (Persona)
• ANNA PERSANO (Unità di personale interno)

Editore di

• American Institute of Physics (Editore)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Polarization anisotropy of individual core/shell GaAs/AlGaAs nanowires by photocurrent spectroscopy" (Insieme di parole chiave)