Dielectric properties of Er-doped HfO2 (Er similar to 15%) grown by atomic layer deposition for high-kappa gate stacks (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Dielectric properties of Er-doped HfO2 (Er similar to 15%) grown by atomic layer deposition for high-kappa gate stacks (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Wiemer C, Lamagna L, Baldovino S, Perego M, Schamm-Chardon S, Coulon PE, Salicio O, Congedo G, Spiga S, Fanciulli M (2010)
  Dielectric properties of Er-doped HfO2 (Er similar to 15%) grown by atomic layer deposition for high-kappa gate stacks
  in Applied physics letters
  (literal)

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• Wiemer C, Lamagna L, Baldovino S, Perego M, Schamm-Chardon S, Coulon PE, Salicio O, Congedo G, Spiga S, Fanciulli M (literal)

Pagina inizio

• 182901 (literal)

Pagina fine

• 182901 (literal)

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• 96 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• 1. IMM CNR, Lab MDM, I-20041 Agrate Brianza, Monza Brianza Italy 2. Univ Milano Bicocca, Dipartimento Sci Mat, Milan, Italy 3. Univ Toulouse, nMat Grp, F-31055 Toulouse 4, France 4. CEMES CNRS, F-31055 Toulouse 4, France (literal)

Titolo

• Dielectric properties of Er-doped HfO2 (Er similar to 15%) grown by atomic layer deposition for high-kappa gate stacks (literal)

Abstract

• Er-doped HfO2 (Er similar to 15%) films are grown by atomic layer deposition on Si(100). The characteristics of the doped oxide are compared with those of HfO2. In Er-doped HfO2, the stabilization of the cubic structure, together with the effect of the high polarizability of Er3+, allow to obtain a dielectric constant of similar to 33 after annealing at 900 degrees C. The insertion of Er within the metallic sublattice of HfO2 reduces the net density of fixed charges, due to the creation of oxygen vacancies. For similar equivalent oxide thickness, lower leakage currents are measured for Er-doped HfO2 than for HfO2. (literal)

Prodotto di

• MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• MICHELE PEREGO (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)
• SABINA SPIGA (Persona)
• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Dielectric properties of Er-doped HfO2 (Er similar to 15%) grown by atomic layer deposition for high-kappa gate stacks" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• SABINA SPIGA (Persona)
• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• MICHELE PEREGO (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Dielectric properties of Er-doped HfO2 (Er similar to 15%) grown by atomic layer deposition for high-kappa gate stacks" (Insieme di parole chiave)