High-quality 6 inch (111) 3C-SiC films grown on off-axis (111) Si substrates (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• High-quality 6 inch (111) 3C-SiC films grown on off-axis (111) Si substrates (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.tsf.2009.10.080 (literal)

Alternative label

• Severino A, Bongiorno C, Piluso N, Italia M, Camarda M, Mauceri M, Condorelli G, Di Stefano MA, Cafra B, La Magna A, La Via F (2010)
  High-quality 6 inch (111) 3C-SiC films grown on off-axis (111) Si substrates
  in Thin solid films (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Severino A, Bongiorno C, Piluso N, Italia M, Camarda M, Mauceri M, Condorelli G, Di Stefano MA, Cafra B, La Magna A, La Via F (literal)

Pagina inizio

• S165 (literal)

Pagina fine

• S169 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 518 (literal)

Rivista

• Thin solid films (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. CNR, IMM, Sez Catania, I-95121 Catania, Italy 2. Epitaxial Techn Ctr, I-95030 Catania, Italy 3. ST Microelect, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• High-quality 6 inch (111) 3C-SiC films grown on off-axis (111) Si substrates (literal)

Abstract

• Growth of single crystal 3C-SiC films on large area off-axis (1111) Si substrate by chemical vapour deposition technique is here reported. The growth was conducted on off-axis Si substrates due to the ability of the misorientation to reduce anti-phase disorder in the 3C-SiC film. 3C-SiC films show an extremely flat surface and interface, stimulating further interest for electrical and mechanical device applications even if a very strong bow, due to the strain induced by the growth process, is observed. Film quality was proved to be high by several investigation techniques and a study of the crystalline defects is also presented. Optical profilometer measurements were also conducted to evaluate accurately the asymmetric curvature of the whole system. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR

• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• Andrea Severino (Persona)
• MARKUS ITALIA (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• MARKUS ITALIA (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• Andrea Severino (Persona)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Thin solid films (Rivista)