Electrooptical Modulating Device Based on a CMOS-Compatible alpha-Si:H/alpha-SiCN Multistack Waveguide (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Electrooptical Modulating Device Based on a CMOS-Compatible alpha-Si:H/alpha-SiCN Multistack Waveguide (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/JSTQE.2009.2025604 (literal)

Alternative label

• Rao S, Della Corte FG, Summonte C, Suriano F (2010)
  Electrooptical Modulating Device Based on a CMOS-Compatible alpha-Si:H/alpha-SiCN Multistack Waveguide
  in IEEE journal of selected topics in quantum electronics; IEEE-Institute Of Electrical And Electronics Engineers Inc., Piscataway (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Rao S, Della Corte FG, Summonte C, Suriano F (literal)

Pagina inizio

• 173 (literal)

Pagina fine

• 178 (literal)

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• http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=5332293 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 16 (literal)

Rivista

• IEEE journal of selected topics in quantum electronics (Rivista)

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• 6 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 1 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)
• Scopu (literal)

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• 1. Mediterranea Univ Reggio Calabria, Dept Informat Sci Math Elect & Transportat, I-89131 Reggio Di Calabria, Italy 2. CNR, Inst Microelect & Microsyst, Unit Bologna, I-40129 Bologna, Italy (literal)

Titolo

• Electrooptical Modulating Device Based on a CMOS-Compatible alpha-Si:H/alpha-SiCN Multistack Waveguide (literal)

Abstract

• In this paper, we report results on a field-effect-induced light modulation at lambda = 1.55 mu m in a high-index-contrast waveguide based on a multisilicon-on-insulator platform. The device is realized with the hydrogenated amorphous silicon (alpha-Si:H) technology, and it is suitable for monolithic integration in a CMOS IC. The device exploits the free-carrier optical absorption electrically induced in the semiconductor core waveguide. The amorphous silicon waveguiding layer contains several thin dielectric films of amorphous silicon carbonitride (alpha-SiCN) embedded along its thickness, thus highly enhancing the absorbing action of the modulator held in the ON state. (literal)

Editore

• IEEE-Institute Of Electrical And Electronics Engineers Inc. (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici (MD.P05.011.001) (Modulo)

Autore CNR

• CATERINA SUMMONTE (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Electrooptical Modulating Device Based on a CMOS-Compatible alpha-Si:H/alpha-SiCN Multistack Waveguide" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di tecnologie e realizzazione di dispositivi e microsistemi fotonici, fluidici e meccanici (MD.P05.011.001) (Modulo)

Autore CNR di

• CATERINA SUMMONTE (Persona)

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• IEEE journal of selected topics in quantum electronics (Rivista)

Editore di

• IEEE-Institute Of Electrical And Electronics Engineers Inc. (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Electrooptical Modulating Device Based on a CMOS-Compatible alpha-Si:H/alpha-SiCN Multistack Waveguide" (Insieme di parole chiave)