Si nanocrystal synthesis in HfO2/SiO/HfO2 multilayer structures (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Si nanocrystal synthesis in HfO2/SiO/HfO2 multilayer structures (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1088/0957-4484/21/5/055606 (literal)

Alternative label

• Perego M, Seguini G, Wiemer C, Fanciulli M, Coulon PE, Bonafos C (2010)
  Si nanocrystal synthesis in HfO2/SiO/HfO2 multilayer structures
  in Nanotechnology (Bristol. Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Perego M, Seguini G, Wiemer C, Fanciulli M, Coulon PE, Bonafos C (literal)

Pagina inizio

• 55606 (literal)

Pagina fine

• 55606 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 21 (literal)

Rivista

• Nanotechnology (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. INFM, Lab Nazl MDM CNR, I-20041 Agrate Brianza, MI Italy 2. Univ Milano Bicocca, Dipartimento Sci Mat, I-20126 Milan, Italy 3. CNRS, CEMES, nMat Grp, FR-31055 Toulouse, France (literal)

Titolo

• Si nanocrystal synthesis in HfO2/SiO/HfO2 multilayer structures (literal)

Abstract

• The synthesis of two-dimensional arrays of Si nanocrystals in an HfO2 matrix has been achieved by deposition of HfO2/SiO/HfO2 multilayer structures followed by high temperature (1100 degrees C) thermal treatment in nitrogen atmosphere. Silicon out-diffusion from the SiO layer through the HfO2 films has been shown to be the limiting factor in the formation of the Si nanocrystals. Suitable strategies have been identified in order to overcome this limitation. Si nanocrystal formation has been achieved by properly adjusting the thickness of the SiO layer. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002) (Modulo)

Autore CNR

• MARCO FANCIULLI (Persona)
• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• MICHELE PEREGO (Unità di personale interno)
• GABRIELE SEGUINI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• CLAUDIA WIEMER (Unità di personale interno)
• MARCO FANCIULLI (Persona)
• MICHELE PEREGO (Unità di personale interno)
• GABRIELE SEGUINI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• MD.P05.007.001 Materiali, processi, e tecniche analitiche per la realizzazione di dispositivi innovativi con funzionalità logiche o di memoria non volatile integrabili su Silicio (MD.P05.007.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Nanotechnology (Rivista)