Multiscale simulation for epitaxial silicon carbide growth by chlorides route (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Multiscale simulation for epitaxial silicon carbide growth by chlorides route (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Masi M, Fiorucci A, Camarda M, La Magna A, La Via F (2010)
  Multiscale simulation for epitaxial silicon carbide growth by chlorides route
  in Thin solid films (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Masi M, Fiorucci A, Camarda M, La Magna A, La Via F (literal)

Pagina inizio

• S6 (literal)

Pagina fine

• S11 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 518 (literal)

Rivista

• Thin solid films (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. Politecn Milan, Dipartimento Chim Mat & Ingn Chim Giulio Natta, I-20131 Milan, Italy 2. CNR, IMM, Sez Catania, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Multiscale simulation for epitaxial silicon carbide growth by chlorides route (literal)

Abstract

• A multiscale-multi-hierarchy approach, based on a succession of simplified models, was used to describe the deposition and the film morphology evolution during the epitaxial silicon carbide deposition in an industrial hot wall reactor. The attention was focused on the system involving chlorinated species because of its superior performances with respect the traditional silane/hydrocarbons process. The evolution of the crystalline structure (i.e., from poly to single) and of the surface roughness can be understood by simply comparing two characteristic times, like those inherent the surface diffusion and the matter supply to the surface. Two other characteristic times were introduced to describe through a kinetic Monte Carlo model the line defects formation. (literal)

Prodotto di

• modelli e metodi numerici per la micro e nano elettronica (MD.P05.005.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• ANTONINO LA MAGNA (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• modelli e metodi numerici per la micro e nano elettronica (MD.P05.005.002) (Modulo)

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• Thin solid films (Rivista)