Synthesis of crystalline Si quantum dots by millisecond laser irradiation of SiOxNy layers (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Synthesis of crystalline Si quantum dots by millisecond laser irradiation of SiOxNy layers (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3282660 (literal)

Alternative label

• Mannino G, Spinella C, Bongiorno C, Nicotra G, Mercorillo F, Privitera V, Franzo G, Piro AM, Grimaldi M, Di Stefano MA, Di Marco S (2010)
  Synthesis of crystalline Si quantum dots by millisecond laser irradiation of SiOxNy layers
  in Journal of applied physics; AIP, American institute of physics, Melville, NY (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Mannino G, Spinella C, Bongiorno C, Nicotra G, Mercorillo F, Privitera V, Franzo G, Piro AM, Grimaldi M, Di Stefano MA, Di Marco S (literal)

Pagina inizio

• 023703 (literal)

Pagina fine

• 023703 (literal)

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• http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v107/i2/p023703_s1?isAuthorized=no (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 107 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 2 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. IMM, CNR, I-95121 Catania, Italy 2. INFM, CNR, I-95124 Catania, Italy 3. STMicroelectronics, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Synthesis of crystalline Si quantum dots by millisecond laser irradiation of SiOxNy layers (literal)

Abstract

• We demonstrated that the timescale for Si quantum dot (Si-QD) formation in a SiOxNy layer is a few milliseconds by IR laser irradiation. The amount of Si agglomerated into QD in a laser irradiated SiOxNy layer is comparable to that calculated after furnace annealing at 1250 degrees C for 30 min. However, we found that crystalline Si-QD can be formed by laser only if the amount of Si atoms in excess is as high as 1x10(22)/cm(3). The Si-QD contains impurities like N and O that prevent luminescence at 900 nm. The photoluminescence (PL) signal is recorded only after an additional annealing after laser irradiation at temperatures above 1000 degrees C when diffusion-assisted replacement of N and O occurs. (literal)

Editore

• AIP, American institute of physics (Editore)

Prodotto di

• Materiali e processi avanzati per celle fotovoltaiche (MD.P05.005.004) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• MD.P05.006.001 Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.002) (Modulo)

Autore CNR

• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• GIOVANNI MANNINO (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE NICOTRA (Unità di personale esterno)

Incoming links:

Autore CNR di

• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• GIOVANNI MANNINO (Persona)
• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE NICOTRA (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali e processi avanzati per celle fotovoltaiche (MD.P05.005.004) (Modulo)
• MD.P05.006.001 Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.002) (Modulo)

Editore di

• AIP, American institute of physics (Editore)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of applied physics (Rivista)