Influence of the matrix properties on the performances of Er-doped Si nanoclusters light emitting devices (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Influence of the matrix properties on the performances of Er-doped Si nanoclusters light emitting devices (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3319581 (literal)

Alternative label

• Irrera A, Iacona F, Franzo G, Miritello M, Lo Savio R, Castagna ME, Coffa S, Priolo F (2010)
  Influence of the matrix properties on the performances of Er-doped Si nanoclusters light emitting devices
  in Journal of applied physics
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Irrera A, Iacona F, Franzo G, Miritello M, Lo Savio R, Castagna ME, Coffa S, Priolo F (literal)

Pagina inizio

• 054302 (literal)

Pagina fine

• 054302 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 107 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 5 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR IMM MATIS, Catania, Italy Università di Catania, Dipartimento di Fisica & Astronomia, Catania, Italy STMicroelectronics, Catania, Italy (literal)

Titolo

• Influence of the matrix properties on the performances of Er-doped Si nanoclusters light emitting devices (literal)

Abstract

• We investigated the properties of light emitting devices whose active layer consists of Er-doped Si nanoclusters (nc) generated by thermal annealing of Er-doped SiOx layers prepared by magnetron cosputtering. Differently from a widely used technique such as plasma enhanced chemical vapor deposition, sputtering allows to synthesize Er-doped Si nc embedded in an almost stoichiometric oxide matrix, so as to deeply influence the electroluminescence properties of the devices. Relevant results include the need for an unexpected low Si excess for optimizing the device efficiency and, above all, the strong reduction of the influence of Auger de-excitation, which represents the main nonradiative path which limits the performances of such devices and their application in silicon nanophotonics. (literal)

Prodotto di

• MD.P05.006.001 Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• MARIA PILAR MIRITELLO (Unità di personale interno)
• ALESSIA IRRERA (Persona)
• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)
• FABIO SANTO IACONA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Influence of the matrix properties on the performances of Er-doped Si nanoclusters light emitting devices" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)
• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• ALESSIA IRRERA (Persona)
• FABIO SANTO IACONA (Persona)
• MARIA PILAR MIRITELLO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• MD.P05.006.001 Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of applied physics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Influence of the matrix properties on the performances of Er-doped Si nanoclusters light emitting devices" (Insieme di parole chiave)