Extended study of the step-bunching mechanism during the homoepitaxial growth of SiC (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Extended study of the step-bunching mechanism during the homoepitaxial growth of SiC (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.tsf.2009.10.078 (literal)

Alternative label

• Camarda M, La Magna A, Severino A, La Via F (2010)
  Extended study of the step-bunching mechanism during the homoepitaxial growth of SiC
  in Thin solid films (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Camarda M, La Magna A, Severino A, La Via F (literal)

Pagina inizio

• S159 (literal)

Pagina fine

• S161 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 518 (literal)

Rivista

• Thin solid films (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. CNR, IMM, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Extended study of the step-bunching mechanism during the homoepitaxial growth of SiC (literal)

Abstract

• We discuss the possible source of surface instabilities (with specific reference to the step bunching phenomena) during the growth of cubic and hexagonal Silicon Carbide polytypes. For this analysis we use: results from super-lattice Kinetic Monte Carlo simulations, atomic force microscope surface analysis and literature data. We show that only hexagonal polytypes with misorientation cut toward the < 11-20 > direction suffer \"intrinsically\" the step bunching phenomena (i.e. it is present, independently on the growth conditions) whereas cubic polytypes and hexagonal ones with misorientation cut toward the < 10-10 > direction do not. (literal)

Prodotto di

• modelli e metodi numerici per la micro e nano elettronica (MD.P05.005.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• Andrea Severino (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• Andrea Severino (Persona)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• modelli e metodi numerici per la micro e nano elettronica (MD.P05.005.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Thin solid films (Rivista)