Stacking faults evolution during epitaxial growths: Role of surface the kinetics (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Stacking faults evolution during epitaxial growths: Role of surface the kinetics (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.susc.2010.02.025 (literal)

Alternative label

• Camarda M, La Magna A, Canino A, La Via F (2010)
  Stacking faults evolution during epitaxial growths: Role of surface the kinetics
  in Surface science
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Camarda M, La Magna A, Canino A, La Via F (literal)

Pagina inizio

• 939 (literal)

Pagina fine

• 942 (literal)

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• http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0039602810000786 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 604 (literal)

Rivista

• Surface science (Rivista)

Note

• Scopu (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. CNR, IMM, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Stacking faults evolution during epitaxial growths: Role of surface the kinetics (literal)

Abstract

• Three dimensional kinetic Monte Carlo simulations on super-lattices are applied to study the evolution of stacking faults during epitaxial growths. We show that, in the case of misoriented close packed substrates, these defects can either extend throughout the entire epilayer (i.e. extended from the substrate up to the surface) or close in dislocation loops, in dependence of the deposition conditions. We explain this behavior in terms of a surface kinetic competition between these defects and the surrounding crystal: if the local growth rate of the defect is larger compared with that of the perfect crystal the defect will expands, otherwise it will closes. This mechanisms allows to explain several experimental results on homo and hetero epitaxies. (literal)

Prodotto di

• modelli e metodi numerici per la micro e nano elettronica (MD.P05.005.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• modelli e metodi numerici per la micro e nano elettronica (MD.P05.005.002) (Modulo)

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• Surface science (Rivista)