Simultaneous nickel silicidation and silicon crystallization induced by excimer laser annealing on plastic substrate (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Simultaneous nickel silicidation and silicon crystallization induced by excimer laser annealing on plastic substrate (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3377916 (literal)

Alternative label

• Alberti A; La Magna A; Cuscuna M; Fortunato G; Privitera V (2010)
  Simultaneous nickel silicidation and silicon crystallization induced by excimer laser annealing on plastic substrate
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Alberti A; La Magna A; Cuscuna M; Fortunato G; Privitera V (literal)

Pagina inizio

• 142113 (literal)

Pagina fine

• 142113 (literal)

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• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v96/i14/p142113_s1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 96 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. CNR IMM, I-95121 Catania, Italy 2. CNR IMM, I-00133 Rome, Italy (literal)

Titolo

• Simultaneous nickel silicidation and silicon crystallization induced by excimer laser annealing on plastic substrate (literal)

Abstract

• Ni-Si reaction and alpha-Si crystallization on polyimide were simultaneously induced by excimer laser annealing. A similar to 8 nm Ni film was deposited on Si in such a way that Ni atoms were also distributed within the alpha-Si layer. The role of Ni atoms during crystallization and surface silicidation was studied in the submelting regime and modeled by diffusion-reaction equations. It has been found that the starting Ni distribution in alpha-Si and the thermal gradient due to the plastic were crucial to induce Si crystallization. At a threshold of similar to 0.2 J/cm(2) melting is induced in the polycrystalline silicon layer and in the residual alpha-Si. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.004) (Modulo)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)

Autore CNR

• MASSIMO CUSCUNA' (Unità di personale interno)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Simultaneous nickel silicidation and silicon crystallization induced by excimer laser annealing on plastic substrate" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• VITTORIO PRIVITERA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• MASSIMO CUSCUNA' (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.004) (Modulo)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)

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