Role of gate oxide thickness in controlling short channel effects in polycrystalline silicon thin film transistors (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Role of gate oxide thickness in controlling short channel effects in polycrystalline silicon thin film transistors (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Valletta A, Gaucci P, Mariucci L, Pecora A, Cuscuna M, Maiolo L, Fortunato G, Brotherton SD (2009)
  Role of gate oxide thickness in controlling short channel effects in polycrystalline silicon thin film transistors
  in Applied physics letters
  (literal)

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• Valletta A, Gaucci P, Mariucci L, Pecora A, Cuscuna M, Maiolo L, Fortunato G, Brotherton SD (literal)

Pagina inizio

• 033507 (literal)

Pagina fine

• 033507 (literal)

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• 95 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• 1. CNR, IMM, I-00133 Rome, Italy 2. TFT Consultant, Forest Row RH18 5HB, England (literal)

Titolo

• Role of gate oxide thickness in controlling short channel effects in polycrystalline silicon thin film transistors (literal)

Abstract

• The drain bias induced threshold voltage variation in short channel (L=0.4 mu m) polycrystalline silicon thin-film transistors (TFTs), with different gate oxide thicknesses, is investigated with combined experimental measurements and numerical simulations. Drain-induced barrier lowering (DIBL) and floating body effects (FBEs), triggered by impact ionization, are the main causes of such variations. However, the effects are counterbalancing, with a reducing oxide thickness reducing DIBL, while, at the same time, increasing the relative impact of the FBE. Hence, drain bias induced threshold voltage changes, when normalized by oxide thickness, are independent of the gate oxide thickness in these TFTs. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.004) (Modulo)

Autore CNR

• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• MASSIMO CUSCUNA' (Unità di personale interno)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• PAOLO GAUCCI (Unità di personale esterno)
• LUCA MAIOLO (Unità di personale esterno)

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Autore CNR di

• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• MASSIMO CUSCUNA' (Unità di personale interno)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• LUCA MAIOLO (Unità di personale esterno)
• PAOLO GAUCCI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.004) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)