Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3C-SiC films (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3C-SiC films (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3227886 (literal)

Alternative label

• Severino A; Camarda M; Scalese S; Fiorenza P; Di Franco S; Bongiorno C; La Magna A; La Via F (2009)
  Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3C-SiC films
  in Applied physics letters
  (literal)

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• Severino A; Camarda M; Scalese S; Fiorenza P; Di Franco S; Bongiorno C; La Magna A; La Via F (literal)

Pagina inizio

• 111905-1 (literal)

Pagina fine

• 111905-3 (literal)

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• 95 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

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• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 11 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMM-Catania (literal)

Titolo

• Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3C-SiC films (literal)

Abstract

• The effect of thermal dry oxidation on an off-axis (111) 3C-SiC film have been studied in order to subsequently realize a metal-oxide-semiconductor structure. A morphological characterization of the SiO2 surface, grown at 1200 degrees C in an O-2 flux, pointed out some defect-related effects as a consequence of the preferential oxidation of stacking faults over the (111) 3C-SiC surface. Scanning electron microscopy and atomic force microscopy confirmed such a hypothesis. Stacking faults are seen as promoters of a local polarity inversion in (111) 3C-SiC, from Si-to C-terminated surface, resulting in a higher oxidation rate as compared to defect-free zones. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)

Autore CNR

• PATRICK FIORENZA (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• SILVIA SCALESE (Persona)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
• Andrea Severino (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3C-SiC films" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• SILVIA SCALESE (Persona)
• Andrea Severino (Persona)
• SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)
• PATRICK FIORENZA (Persona)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3C-SiC films" (Insieme di parole chiave)