Effect of the miscut direction in (111) 3C-SiC film growth on off-axis (111)Si (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Effect of the miscut direction in (111) 3C-SiC film growth on off-axis (111)Si (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3085769 (literal)

Alternative label

• Severino A, Camarda M, Condorelli G, Perdicaro LMS, Anzalone R, Mauceri M, La Magna A, La Via F (2009)
  Effect of the miscut direction in (111) 3C-SiC film growth on off-axis (111)Si
  in Applied physics letters
  (literal)

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• Severino A, Camarda M, Condorelli G, Perdicaro LMS, Anzalone R, Mauceri M, La Magna A, La Via F (literal)

Pagina inizio

• 101907 (literal)

Pagina fine

• 101907 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 94 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• 1. IMM CNR, Sez Catania, I-95121 Catania, Italy 2. Epitaxial Techn Ctr, I-95030 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Effect of the miscut direction in (111) 3C-SiC film growth on off-axis (111)Si (literal)

Abstract

• Two miscut directions of (111) Si substrate on 3C-SiC heteroepitaxial growth have been studied with the resulting 3C-SiC stress and defects as a function of miscut axis direction toward [110] and [112] of (111) Si analyzed. We studied this dependency from an experimental point of view, investigating the structural properties of 3C-SiC, and using a kinetic Monte Carlo method on superlattice to confirm our experimental findings with numerical simulations. Residual stress and stacking fault density were halved by growing on a (111) Si substrate off-cut toward the [110] direction. A different surface morphology was revealed between the two inclinations. (literal)

Prodotto di

• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
• Andrea Severino (Persona)
• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

Incoming links:

Autore CNR di

• ANTONINO LA MAGNA (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• Andrea Severino (Persona)
• RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
• MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)