Analysis of self-heating related instability in n-channel polysilicon thin film transistors fabricated on polyimide (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Analysis of self-heating related instability in n-channel polysilicon thin film transistors fabricated on polyimide (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Maiolo L, Cuscuna M, Mariucci L, Minotti A, Pecora A, Simeone D, Valletta A, Fortunato G (2009)
  Analysis of self-heating related instability in n-channel polysilicon thin film transistors fabricated on polyimide
  in Thin solid films (Print)
  (literal)

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• Maiolo L, Cuscuna M, Mariucci L, Minotti A, Pecora A, Simeone D, Valletta A, Fortunato G (literal)

Pagina inizio

• 6371 (literal)

Pagina fine

• 6374 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 517 (literal)

Rivista

• Thin solid films (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• IMM-Roma (literal)

Titolo

• Analysis of self-heating related instability in n-channel polysilicon thin film transistors fabricated on polyimide (literal)

Abstract

• In this work, we investigated self-heating related instability in polysilicon thin film transistors (poly-Si TFTs) fabricated on polyimide (PI) substrates. Indeed, when joule heating becomes relevant, the temperature of the active layer can substantially rise, since the devices are fabricated on thermally insulating substrates. As a result, electrical instability is triggered and attributed to the generation of interface states, due to the Si-H bond breaking, and charge trapping into the gate insulator. In addition, by using 3-dimensional numerical simulations, coupling the thermodynamic and transport models, we analyzed the temperature distribution of the device under operating conditions and found that self-heating is more severe for devices fabricated on plastic substrates. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Elettronica su plastica basata su materiali organici ed ossidi semiconduttori (MD.P05.001.006) (Modulo)

Autore CNR

• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• MASSIMO CUSCUNA' (Unità di personale interno)
• Daniela Simeone (Unità di personale esterno)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• ANTONIO MINOTTI (Persona)
• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• LUCA MAIOLO (Unità di personale esterno)

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Autore CNR di

• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• ANTONIO MINOTTI (Persona)
• MASSIMO CUSCUNA' (Unità di personale interno)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• LUCA MAIOLO (Unità di personale esterno)
• Daniela Simeone (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Elettronica su plastica basata su materiali organici ed ossidi semiconduttori (MD.P05.001.006) (Modulo)

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• Thin solid films (Rivista)