Improved Ni/3C-SiC contacts by effective contact area and conductivity increases at the nanoscale (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Improved Ni/3C-SiC contacts by effective contact area and conductivity increases at the nanoscale (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3099901 (literal)

Alternative label

• Eriksson J, Roccaforte F, Giannazzo F, Lo Nigro R, Raineri V, Lorenzzi J, Ferro G (2009)
  Improved Ni/3C-SiC contacts by effective contact area and conductivity increases at the nanoscale
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Eriksson J, Roccaforte F, Giannazzo F, Lo Nigro R, Raineri V, Lorenzzi J, Ferro G (literal)

Pagina inizio

• 112104 (literal)

Pagina fine

• 112104 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 94 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. CNR, IMM, I-95121 Catania, Italy 2. Univ Catania, Scuola Super, I-95123 Catania, Italy 3. Univ Lyon 1, CNRS, UMR 5615, LMI, F-69622 Villeurbanne, France (literal)

Titolo

• Improved Ni/3C-SiC contacts by effective contact area and conductivity increases at the nanoscale (literal)

Abstract

• We report on the evolution of the electrical and structural properties of Ni/3C-SiC contacts during annealing in the temperature range of 600-950 degrees C. A structural analysis showed the formation of different nickel silicide phases upon annealing. A combination of transmission line model and conductive atomic force microscopy measurements demonstrated a correlation between the macroscale specific contact resistance and the nanoscale resistance, measured locally across the sample. These results further revealed that the structural evolution is accompanied by an increased uniformity of the local current distribution, indicating that an increase of the effective contact area contributes to the improvement of the contact properties. (literal)

Prodotto di

• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Autore CNR

• GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (Unità di personale esterno)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• VITO RAINERI (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Improved Ni/3C-SiC contacts by effective contact area and conductivity increases at the nanoscale" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• GUSTAV JENS PETER ERIKSSON (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Improved Ni/3C-SiC contacts by effective contact area and conductivity increases at the nanoscale" (Insieme di parole chiave)