Electrical properties of high energy ion irradiated 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Electrical properties of high energy ion irradiated 4H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Izzo G, Litrico G, Calcagno L, Foti G, La Via F (2008)
  Electrical properties of high energy ion irradiated 4H-SiC Schottky diodes
  in Journal of applied physics
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Izzo G, Litrico G, Calcagno L, Foti G, La Via F (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 104 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Titolo

• Electrical properties of high energy ion irradiated 4H-SiC Schottky diodes (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• GRAZIA LITRICO (Unità di personale esterno)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR di

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• GRAZIA LITRICO (Unità di personale esterno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of applied physics (Rivista)