Electrical instability in self-aligned p-channel polysilicon TFTs related to oxide residual damage (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Electrical instability in self-aligned p-channel polysilicon TFTs related to oxide residual damage (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Rapisarda M, Mariucci L, Valletta A, Pecora A, Fortunato G, Caligiore C, Fontana E, Leonardi S, Tramontana F (2008)
  Electrical instability in self-aligned p-channel polysilicon TFTs related to oxide residual damage
  in Solid-state electronics
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Rapisarda M, Mariucci L, Valletta A, Pecora A, Fortunato G, Caligiore C, Fontana E, Leonardi S, Tramontana F (literal)

Pagina inizio

• 406 (literal)

Pagina fine

• 411 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 52 (literal)

Rivista

• Solid-state electronics (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Titolo

• Electrical instability in self-aligned p-channel polysilicon TFTs related to oxide residual damage (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.004) (Modulo)

Autore CNR

• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• Matteo RAPISARDA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)

Incoming links:

Autore CNR di

• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• Matteo RAPISARDA (Persona)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.004) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Solid-state electronics (Rivista)