Two-dimensional electron gas insulation by local surface thin thermal oxidation in AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Two-dimensional electron gas insulation by local surface thin thermal oxidation in AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2946657 (literal)

Alternative label

• Roccaforte F, Giannazzo F, Iucolano F, Bongiorno C, Raineri V (2008)
  Two-dimensional electron gas insulation by local surface thin thermal oxidation in AlGaN/GaN heterostructures
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Roccaforte F, Giannazzo F, Iucolano F, Bongiorno C, Raineri V (literal)

Pagina inizio

• 252101 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 92 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• [Roccaforte, Fabrizio; Giannazzo, Filippo; Iucolano, Ferdinando; Bongiorno, Corrado; Raineri, Vito] CNR, IMM, I-95121 Catania, Italy; [Iucolano, Ferdinando] Catania Univ, Dipartimento Fis & Astron, I-95123 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Two-dimensional electron gas insulation by local surface thin thermal oxidation in AlGaN/GaN heterostructures (literal)

Abstract

• In this letter, the physical effects of the local surface thin thermal oxidation on the current transport in AlGaN/GaN heterostructures are reported. Current-voltage measurements performed on appropriate test patterns demonstrated that a selective oxidation process at 900 degrees C enables the suppression of the current flow through the two-dimensional electron gas. The electrical insulation was achieved even though structural analysis showed that the formed oxide did not reach the depth of the AlGaN/GaN heterointerface. The combination of capacitance-voltage measurements with depth-resolved scanning capacitance microscopy enabled to correlate the electrical results to the doping and the compositional stability of the material during oxidation. (c) 2008 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• VITO RAINERI (Persona)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• Ferdinando Iucolano (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Two-dimensional electron gas insulation by local surface thin thermal oxidation in AlGaN/GaN heterostructures" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• Ferdinando Iucolano (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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