Heteroepitaxial growth of (111) 3C-SiC on (110) Si substrate by second order twins (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Heteroepitaxial growth of (111) 3C-SiC on (110) Si substrate by second order twins (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2920164 (literal)

Alternative label

• Anzalone R, Bongiorno C, Severino A, D'Arrigo G, Abbondanza G, Foti G, La Via F (2008)
  Heteroepitaxial growth of (111) 3C-SiC on (110) Si substrate by second order twins
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Anzalone R, Bongiorno C, Severino A, D'Arrigo G, Abbondanza G, Foti G, La Via F (literal)

Pagina inizio

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 92 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• Anzalone, R, Italian Natl Council Res CNR, Inst Microelect & Microsyst IMM, Sez Catania, Stradale Primosole 50, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Heteroepitaxial growth of (111) 3C-SiC on (110) Si substrate by second order twins (literal)

Abstract

• Cubic (111)-oriented silicon carbide (3C-SiC) heteroepitaxy on (110) silicon substrate was performed by low pressure chemical vapor deposition. A comparison with the previous work by Nishiguchi [Appl. Phy. Lett. 84, 3082 (2004)] shows that the relationship (110) Si parallel to(111) 3C-SiC could be misleading. Based on x-ray diffraction pole figures and numerical simulations, we prove that this relationship is due to the formation of second order twins during the initial stages of growth. This analysis also reveals that the crystal starts to grow with a misalignment of 3.5 degrees along the < 002 > Si direction to adapt the mismatch of lattice parameters. (c) 2008 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
• RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• Andrea Severino (Persona)

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Autore CNR di

• GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• Andrea Severino (Persona)
• RUGGERO ANZALONE (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)