Dislocation generation in device fabrication process (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Dislocation generation in device fabrication process (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/SSP.95-96.439 (literal)

Alternative label

• Mica, I; Polignano, ML; Carnevale, GP; Armigliato, A; Balboni, R; Brambilla, M; Cazzaniga, F; Pavia, G; Soncini, V (2004)
  Dislocation generation in device fabrication process
  in Diffusion and defect data, solid state data. Part B, Solid state phenomena; Trans Tech Publications Ltd., Stafa-Zurich (Swaziland)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Mica, I; Polignano, ML; Carnevale, GP; Armigliato, A; Balboni, R; Brambilla, M; Cazzaniga, F; Pavia, G; Soncini, V (literal)

Pagina inizio

• 439 (literal)

Pagina fine

• 446 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 95-96 (literal)

Rivista

• Diffusion and defect data, solid state data. Part B, Solid state phenomena (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 8 (literal)

Note

• Scopu (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• ST Microelectron, IT-20041 Agrate Brianza, Milano, Italy; CNR, Ist IMM Sez Bologna, IT-40129 Bologna, Italy CNR, Ist IMM Sez Bologna, IT-40129 Bologna, Italy (literal)

Titolo

• Dislocation generation in device fabrication process (literal)

Abstract

• In this paper we discuss the physical mechanism and the critical factors for the dislocation generation in device processing. The mechanisms of the stress development are identified. Elastic stress is estimated from the convergent beam electron diffraction (CBED) measurements using transmission electron microscopy (TEM), and the defect generation is monitored by electrical measurements of a specific monitor structure. The implantation conditions and the implantation damage recovery is shown to be another key factor in the defect generation. Thermal oxidations of the STI structure are shown to be a major responsible of the stress increase. In addition to the process the pattern geometry strongly affects the mechanical stress. Minimum geometry structures with a complex layout are prone to defect generation. (literal)

Editore

• Trans Tech Publications Ltd. (Editore)

Prodotto di

• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ROBERTO BALBONI (Unità di personale interno)
• ALDO ARMIGLIATO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Dislocation generation in device fabrication process" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ROBERTO BALBONI (Unità di personale interno)
• ALDO ARMIGLIATO (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Diffusion and defect data, solid state data. Part B, Solid state phenomena (Rivista)

Editore di

• Trans Tech Publications Ltd. (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Dislocation generation in device fabrication process" (Insieme di parole chiave)