Nanoscale carrier transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts on AlGaN epilayers grown on Si(111) (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Nanoscale carrier transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts on AlGaN epilayers grown on Si(111) (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2220486 (literal)

Alternative label

• Roccaforte F, Iucolano F, Giannazzo F, Alberti A, Raineri V (2006)
  Nanoscale carrier transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts on AlGaN epilayers grown on Si(111)
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Roccaforte F, Iucolano F, Giannazzo F, Alberti A, Raineri V (literal)

Pagina inizio

• 22103 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 89 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, IMM, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Nanoscale carrier transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts on AlGaN epilayers grown on Si(111) (literal)

Abstract

• In this letter, a correlation between nanostructure and current flow in Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts on AlGaN films grown on Si (111) is reported. A cross correlation between conductive-atomic force microscopy and structural analyses (x-ray diffraction, transmission electron microscopy) demonstrates that the structure and the electrical properties of the different phases formed inside the reacted layer upon annealing are crucial for the nanoscale current transport. The experimental measurement of the resistivity of the main phases formed upon annealing (AlNi, AlAu4, and Al2Au) indicated that the low resistivity Al2Au phase provides preferential conductive paths for the current flow through the contact. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)

Autore CNR

• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• Ferdinando Iucolano (Unità di personale esterno)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Nanoscale carrier transport in Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts on AlGaN epilayers grown on Si(111)" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• Ferdinando Iucolano (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Semiconduttori innovativi per elettronica di potenza ed Rf (MD.P05.003.001) (Modulo)
• Sviluppo di metodologie avanzate per dispositivi elettronici micro e nanostrutturati (MD.P05.005.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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