Role of osmium in the electrical transport mechanism of polycrystalline tin oxide thin films (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Role of osmium in the electrical transport mechanism of polycrystalline tin oxide thin films (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.1643536 (literal)

Alternative label

• Forleo A, Capone S, Epifani M, Siciliano P, Rella R (2004)
  Role of osmium in the electrical transport mechanism of polycrystalline tin oxide thin films
  in Applied physics letters; American Institute Of Physics (AIP), Melville (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Forleo A, Capone S, Epifani M, Siciliano P, Rella R (literal)

Pagina inizio

• 744 (literal)

Pagina fine

• 746 (literal)

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• http://apl.aip.org/ (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 84 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

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• 3 (literal)

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• 5 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, Ist Microelettron & Microsistemi, Sez Lecce, I-73100 Lecce, Italy (literal)

Titolo

• Role of osmium in the electrical transport mechanism of polycrystalline tin oxide thin films (literal)

Abstract

• Undoped and Os-doped SnO2 thin films have been deposited by the sol-gel method. Their electrical properties have been investigated by resistivity and Hall effect measurements in order to understand the role of Os in the electrical transport mechanism. The measurements have been carried out in 100-500 K temperature range both in a vacuum and in air. The experimental results have been analyzed according to the grain-boundary scattering mechanism and they have been used to explain the response toward CH4 of the Os-doped SnO2 thin-film-based gas sensors. (literal)

Editore

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Prodotto di

• Sensori e Microsistemi Intelligenti per la Sicurezza e la Qualità della vita nei settori Agroalimentare, Trasporti ed \"Ambient Assisted Living\" (MD.P05.010.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• SIMONETTA CAPONE (Persona)
• PIETRO ALEARDO SICILIANO (Unità di personale interno)
• MAURO SALVATORE EPIFANI (Unità di personale interno)
• ROBERTO RELLA (Unità di personale interno)
• ANGIOLA FORLEO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Role of osmium in the electrical transport mechanism of polycrystalline tin oxide thin films" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sensori e Microsistemi Intelligenti per la Sicurezza e la Qualità della vita nei settori Agroalimentare, Trasporti ed \"Ambient Assisted Living\" (MD.P05.010.001) (Modulo)

Autore CNR di

• SIMONETTA CAPONE (Persona)
• ROBERTO RELLA (Unità di personale interno)
• PIETRO ALEARDO SICILIANO (Unità di personale interno)
• MAURO SALVATORE EPIFANI (Unità di personale interno)
• ANGIOLA FORLEO (Unità di personale interno)

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• Applied physics letters (Rivista)

Editore di

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Role of osmium in the electrical transport mechanism of polycrystalline tin oxide thin films" (Insieme di parole chiave)