New achievements on CVD based methods for SIC epitaxial growth (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• New achievements on CVD based methods for SIC epitaxial growth (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Crippa D., Valente G.L., Ruggiero A., Neri L., Reitano R., Calcagno L., Foti G., Mauceri M., Leone S., Pistone G., Abbondanza G., Abbagnale G., Veneroni A., Omarini F., Zamolo L., Masi M., Roccaforte F., Giannazzo F., Di Franco S., La Via F. (2005)
  New achievements on CVD based methods for SIC epitaxial growth
  in Materials science forum
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Crippa D., Valente G.L., Ruggiero A., Neri L., Reitano R., Calcagno L., Foti G., Mauceri M., Leone S., Pistone G., Abbondanza G., Abbagnale G., Veneroni A., Omarini F., Zamolo L., Masi M., Roccaforte F., Giannazzo F., Di Franco S., La Via F. (literal)

Pagina inizio

• 67 (literal)

Pagina fine

• 71 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 483 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• LPE, I-20021 Bollate, MI, Italy; Catania Univ, Dept Phys, I-95123 Catania, Italy; Epitaxial Technol Ctr, I-95030 Catania, Italy; STM, I-95121 Catania, Italy; Politecn Milan, Dept Chim Mat & Ingn Chim G Natta, I-20133 Milan, Italy; CNR, IMM Sez Catania, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• New achievements on CVD based methods for SIC epitaxial growth (literal)

Abstract

• The results of a new epitaxial process using an industrial 6x2\" wafer reactor with the introduction of HCl during the growth have been reported. A complete reduction of silicon nucleation in the gas phase has been observed even for high silicon dilution parameters (Si/H-2> 0.05) and an increase of the growth rate until about 20 ì m/h has been measured. No difference has been observed in terms of defects, doping uniformity (average maximum variation 8%) and thickness uniformity (average maximum variation 1.2%) with respect to the standard process without HCl. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials science forum (Rivista)