n(+)/p diodes realized in SiC by phosphorus ion implantation: Electrical characterization as a function of temperature (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• n(+)/p diodes realized in SiC by phosphorus ion implantation: Electrical characterization as a function of temperature (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.649 (literal)

Alternative label

• Canino M., Castaldini A., Cavallini A., Moscatelli F., Nipoti R., Poggi A. (2005)
  n(+)/p diodes realized in SiC by phosphorus ion implantation: Electrical characterization as a function of temperature
  in Materials science forum; TRANS TECH PUBLICATIONS LTD, LAUBLSRUTISTR 24, CH-8717 STAFA-ZURICH (Svizzera)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Canino M., Castaldini A., Cavallini A., Moscatelli F., Nipoti R., Poggi A. (literal)

Pagina inizio

• 649 (literal)

Pagina fine

• 652 (literal)

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• Congresso data AUG 31-SEP 04, 2004 Congresso luogo Bologna, ITALY Congresso nome 5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials Congresso relazione Contributo Congresso rilevanza Internazionale Curatore/i del volume Roberta Nipoti, Antonella Poggi and Andrea Scorzoni Titolo del volume Silicon Carbide and Related Materials 2004 (literal)

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• http://www.scientific.net/MSF.483-485.649 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• Silicon Carbide and Related Materials 2004 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 483-485 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana

• 483-485 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Univ Bologna, I-40126 Bologna, Italy; CNR, IMM, Sez Bologna, I-40129 Bologna, Italy; Univ Perugia, DIEI, I-06125 Perugia, Italy (literal)

Titolo

• n(+)/p diodes realized in SiC by phosphorus ion implantation: Electrical characterization as a function of temperature (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Roberta Nipoti, Antonella Poggi and Andrea Scorzoni (literal)

Abstract

• n+/p diodes have been realized by 300°C phosphorus ion implantation and subsequent annealing at 1300°C. An electrical characterization of the devices as well as a study of the defects introduced by the implantation process has been made. I-V measurements pointed out that the diodes maintain a good rectifying behavior up to 737K. DLTS analyses detected the presence of three traps, T2, T3 and T4, which are not due to the implantation process, and a high energy trap, T5, that could be related to the surface states at the Ni/SiC interface. (literal)

Editore

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)
• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "n(+)/p diodes realized in SiC by phosphorus ion implantation: Electrical characterization as a function of temperature" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR di

• ANTONELLA POGGI (Unità di personale interno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale interno)

Editore di

• TRANS TECH PUBLICATIONS LTD (Editore)

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• Materials science forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "n(+)/p diodes realized in SiC by phosphorus ion implantation: Electrical characterization as a function of temperature" (Insieme di parole chiave)