Thermal evolution and photoluminescence properties of nanometric Si layers (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Thermal evolution and photoluminescence properties of nanometric Si layers (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1088/0957-4484/16/12/047 (literal)

Alternative label

• Boninelli S.; Iacona F.; Franzò G.; Bongiorno C.; Spinella C.; Priolo F. (2005)
  Thermal evolution and photoluminescence properties of nanometric Si layers
  in Nanotechnology (Bristol. Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Boninelli S.; Iacona F.; Franzò G.; Bongiorno C.; Spinella C.; Priolo F. (literal)

Pagina inizio

• 3012 (literal)

Pagina fine

• 3016 (literal)

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• http://scienceserver.cilea.it/pdflinks/12031822291015950.pdf (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 16 (literal)

Rivista

• Nanotechnology (Rivista)

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• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 12 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Univ Catania, MATIS, INFM, CNR, I-95123 Catania, Italy; Univ Catania, Dipartimento Fis & Astron, I-95123 Catania, Italy; CNR, IMM, Sez Catania, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Thermal evolution and photoluminescence properties of nanometric Si layers (literal)

Abstract

• The structural properties of an ultrathin (3 nm) Si layer sandwiched between two thin SiO2 layers subjected to thermal annealing have been investigated by energy filtered transmission electron microscopy (EFTEM). It has been demonstrated that the first stages of the thermal evolution of the Si layer involve the formation of a highly interconnected Si network, followed by the appearance of well defined nanoclusters (both amorphous and crystalline). The quantitative analysis of the EFTEM data allowed determination of the size and density of the Si nanoclusters, as well as their crystalline fraction. This information has been used to explain the dependence of the system photoluminescence on the annealing temperature. (literal)

Prodotto di

• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• FABIO SANTO IACONA (Persona)
• SIMONA MARIA CRISTINA BONINELLI (Persona)
• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)

Insieme di parole chiave

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Autore CNR di

• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)
• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• SIMONA MARIA CRISTINA BONINELLI (Persona)
• FABIO SANTO IACONA (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

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• Nanotechnology (Rivista)

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