Investigation on indium diffusion in silicon (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Investigation on indium diffusion in silicon (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Solmi S. 1, Parisini A. 1, Bersani M. 2, Giubertoni D. 2, Soncini V. 3, Carnevale G. 3, Benvenuti A. 3, Marmiroli A. 3 (2002)
    Investigation on indium diffusion in silicon
    in Journal of applied physics
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Solmi S. 1, Parisini A. 1, Bersani M. 2, Giubertoni D. 2, Soncini V. 3, Carnevale G. 3, Benvenuti A. 3, Marmiroli A. 3 (literal)
Pagina inizio
  • 1361 (literal)
Pagina fine
  • 1366 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 92 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
  • L'indio e' un drogante del silicio fino ad ora poco usato, ma che ha assunto recentemente un notevole interesse in quanto presenta alcune caratteristiche che lo rendono vantaggioso per il drogaggio del canale nella tecnologia nMOS di transistori submicrometrici. Le conoscenze del comportamento di questo drogante durante diffusione sono oggetto di studio per poter prevedere tramite simulatori di processo l'evoluzione della distribuzione dell'Indio durante i trattamenti termici. In questo lavoro vengono determinati valori di diffusione, segregazione all'interfaccia ossido-silicio e di solubilita' che permettono di migliorare la simulazione dei processi. (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • 1. IMM-CNR Sezione di Bologna; 2. ITC-irst, Trento; 3. STMicroelectronics, Agrate (literal)
Titolo
  • Investigation on indium diffusion in silicon (literal)
Abstract
  • The diffusion of indium in silicon has been investigated in the temperature range of 800 to 1000 °C by using secondary ion mass spectroscopy and transmission electron microscopy. Our data indicate that, for implants at 150 keV through a thin oxide layer (19 nm), the amount of dopant that leaves the silicon is only controlled by the flow of indium that reaches the surface, being both the segregation coefficient at the interface SiO2 /Si and the indium diffusion coefficient in the oxide favorable to the out-diffusion. Comparison between experimental and simulated profiles has evidenced that, besides the expected transient enhanced diffusion occurring in the early phases of the annealing, a heavy loss of dopant by out-diffusion was associated with a high In diffusivity near the surface. Measurements of the hole concentration in uniformly doped silicon on insulator samples performed in the temperature range of 700 to 1100 °C indicate that indium solubility is equal or greater than 1.8E18 cm-3; this value is higher than those previously proposed in literature. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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