Images of dopant profiles in low-energy scanning transmission electron microscopy (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Images of dopant profiles in low-energy scanning transmission electron microscopy (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1063/1.1528734 (literal)
Alternative label
  • Merli P.G. 1, Morandi V. 1, Corticelli F. 2 (2002)
    Images of dopant profiles in low-energy scanning transmission electron microscopy
    in Applied physics letters; American Institute of Physics, Melville [NY] (Stati Uniti d'America)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Merli P.G. 1, Morandi V. 1, Corticelli F. 2 (literal)
Pagina inizio
  • 4535 (literal)
Pagina fine
  • 4537 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni
  • Questa tecnica mette in evidenza il profilo chimico del drogante ed è complementare a quelle che evidenziano il profilo elettrico come, ad esempio, le metodiche di contasto di fase in microscopia trasmissione ad alta energia (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 81 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali
  • 3 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
  • Un microscopio a scansione è stato adattato, con una tecnica non convenzionale, ad operare in microscopia in trasmissione. La tecnica è stat applicata all'osservazione del profilo di drogaggi in Si impantato As con una concentrazione di picco del 5% e del 2,5% ed una estensione della zona drogata di 40nm. La descrizione del profilo di drogaggio è stata fatta con una risoluzione di 6nm, pari al diametro della sonda elettronica usata per l'osservazione. (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • 1. IMM-CNR Sezione di Bologna 2. Università di Bologna, Dipartimento di Fisica (literal)
Titolo
  • Images of dopant profiles in low-energy scanning transmission electron microscopy (literal)
Abstract
  • A scanning electron microscope is used in transmission mode. The image is formed with secondary electrons, collected by the standard detector, resulting from the conversion of transmitted electrons on a circular disk, covered with MgO smoke, located below the thinned specimen, and centered on the optical axis. Operating in this mode, bright-field images of As dopant profiles in Si, having a peak concentrations of 5 and 2.5 at. % and a spatial extension of about 40 nm, have been observed in cross sectioned specimens. The description of the dopant profiles has a resolution of 6 nm as defined by the spot size of the microscope, equipped with a LaB6 tip, and operating at 30 keV. (literal)
Editore
Prodotto di
Autore CNR
Insieme di parole chiave

Incoming links:


Prodotto
Autore CNR di
Editore di
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi
Insieme di parole chiave di
data.CNR.it