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Images of dopant profiles in low-energy scanning transmission electron microscopy (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Images of dopant profiles in low-energy scanning transmission electron microscopy (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1063/1.1528734 (literal)
- Alternative label
Merli P.G. 1, Morandi V. 1, Corticelli F. 2 (2002)
Images of dopant profiles in low-energy scanning transmission electron microscopy
in Applied physics letters; American Institute of Physics, Melville [NY] (Stati Uniti d'America)
(literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Merli P.G. 1, Morandi V. 1, Corticelli F. 2 (literal)
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- Pagina fine
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- Questa tecnica mette in evidenza il profilo chimico del drogante ed è complementare a quelle che evidenziano il profilo elettrico come, ad esempio, le metodiche di contasto di fase in microscopia trasmissione ad alta energia (literal)
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- Rivista
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- Un microscopio a scansione è stato adattato, con una tecnica non convenzionale, ad operare in microscopia in trasmissione. La tecnica è stat applicata all'osservazione del profilo di drogaggi in Si impantato As con una concentrazione di picco del 5% e del 2,5% ed una estensione della zona drogata di 40nm. La descrizione del profilo di drogaggio è stata fatta con una risoluzione di 6nm, pari al diametro della sonda elettronica usata per l'osservazione. (literal)
- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
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- 1. IMM-CNR Sezione di Bologna
2. Università di Bologna, Dipartimento di Fisica (literal)
- Titolo
- Images of dopant profiles in low-energy scanning transmission electron microscopy (literal)
- Abstract
- A scanning electron microscope is used in transmission mode. The image is
formed with secondary electrons, collected by the standard detector,
resulting from the conversion of transmitted electrons on a circular disk,
covered with MgO smoke, located below the thinned specimen, and centered on
the optical axis. Operating in this mode, bright-field images of As dopant
profiles in Si, having a peak concentrations of 5 and 2.5 at. % and a
spatial extension of about 40 nm, have been observed in cross sectioned
specimens. The description of the dopant profiles has a resolution of 6 nm
as defined by the spot size of the microscope, equipped with a LaB6 tip,
and operating at 30 keV. (literal)
- Editore
- Prodotto di
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