Effects of N-induced heterogeneous nucleation and growth of cavities at the CoSi2/polycrystalline-silicon interface (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Effects of N-induced heterogeneous nucleation and growth of cavities at the CoSi2/polycrystalline-silicon interface (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Alberti A. 1, La Via F. 1, Rimini E. 1 (2002)
  Effects of N-induced heterogeneous nucleation and growth of cavities at the CoSi2/polycrystalline-silicon interface
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Alberti A. 1, La Via F. 1, Rimini E. 1 (literal)

Pagina inizio

• 55 (literal)

Pagina fine

• 57 (literal)

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• Molti processi per la formazione dei siliciuri sviluppati tenendo conto dei parametri tipici della tecnologia CMOS non sono applicabili nel caso dei dispositivi di potenza, dove il parametro importante è la resistenza di contatto piuttosto che quella di strato. Nel caso dei dispositivi di potenza, per esempio, sono in generale necessari dei processi termici ad alta temperatura dopo la formazione del siliciuro. Questi processi possono produrre sia una agglomerazione del siliciuro con un deterioramento delle caratteristiche elettriche del dispositivo. Il processo sviluppato dall'IMM di Catania si dimostra efficace nell'aumentare la stabilità termica del siliciuro di cobalto di circa 150 °C rispetto a quanto riportato in letteratura. E' in corso un'attività di trasferimento del know-how acquisito per l'implementazione del processo innovativo in concrete applicazioni industriali. Fattore di impatto della rivista (2002): 4.207 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 81 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto

• L'IMM (Sezione di Catania) ha messo a punto un processo che consente di aumentare la stabilità termica del siliciuro di cobalto, un materiale importantissimo, attualmente utilizzato, oltre che nella tecnologia CMOS, anche nella fabricazione di dispositivi di potenza. Il processo che è stato sviluppato consiste nell'indurre la nucleazione di cavità all'interfaccia CoSi2 /Si mediante impiantazione di azoto. Queste cavità, una volta formate con processo termico a 975 °C, ssi dimostrano efficaci nell'innalzare la stabilità termica dello strato di siliciuro fino alla temperatura di 1075 °C. L'energia e le dosi di impianto di azoto sono state scelte in modo che il range proiettato (Rp) fosse vicino all'interfaccia, amorfizzando lo strato di silicio policristallino sottostante. La densità delle cavità è sufficiente a saturare completamente i bordi di grano nel siliciuro, e si ritiene sia questa la ragione che rende stabile il materiale per trattamenti termici a temperature più alte rsipetto a quanto noto in letteratura. (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1 IMM-CNR Sezione di Catania (literal)

Titolo

• Effects of N-induced heterogeneous nucleation and growth of cavities at the CoSi2/polycrystalline-silicon interface (literal)

Abstract

• N-induced cavity nucleation at the CoSi2 /Si interface has been investigated for different doses and its influence on improving the thermal stability of the silicide layer up to 1075 °C has been detailed. The N-implant energy and doses have been chosen in such a way that the projected range (Rp) was near the interface and the underlying polycrystalline silicon substrate was completely amorphized. After a thermal treatment of 975 °C, it has been found that the cavity density depends on the dose, but the cavity size is dose independent. The cavity density should be enough to saturate the silicide grain boundaries but not so high to neglect ripening and coalescence. A density of 2.5E10 cavities/cm2 has been measured at a nitrogen dose of 7E15/cm2 corresponding to a partial saturation of the silicide grain boundaries and to the higher stability gain (150 °C). (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Effects of N-induced heterogeneous nucleation and growth of cavities at the CoSi2/polycrystalline-silicon interface" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Effects of N-induced heterogeneous nucleation and growth of cavities at the CoSi2/polycrystalline-silicon interface" (Insieme di parole chiave)