Oxidation rate enhancement of SiGe epitaxial films oxidized in dry ambient (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Oxidation rate enhancement of SiGe epitaxial films oxidized in dry ambient (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.1622439 (literal)

Alternative label

• Spadafora M., Privitera G., Terrasi A., Scalese, S., Bongiorno C., Carnera A., Di Marino M., Napolitani E. (2003)
  Oxidation rate enhancement of SiGe epitaxial films oxidized in dry ambient
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Spadafora M., Privitera G., Terrasi A., Scalese, S., Bongiorno C., Carnera A., Di Marino M., Napolitani E. (literal)

Pagina inizio

• 3713 (literal)

Pagina fine

• 3715 (literal)

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• http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000018003713000001&idtype=cvips&doi=10.1063/1.1622439&prog=normal (literal)

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• 83 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

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• 3 (literal)

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• 18 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• Istituto Nazionale per la Fisica della Materia--MATIS & Dipartimento di Fisica e Astronomia, Università di Catania Via S. Sofia 64, 1-95123 Catania, Italy Consiglio Nazionale delle Ricerche, Istituto per la Microelettronica e Microsistemi, sez. Catania Stradale Primosole 50, 1-95121 Catania, Italy Istituto Nazionale per la Fisica della Materia & Dipartimento di Fisica, Università di Padova Via Marzolo 8, I-35131 Padova, Italy (literal)

Titolo

• Oxidation rate enhancement of SiGe epitaxial films oxidized in dry ambient (literal)

Abstract

• We present a study on thin oxides obtained by rapid thermal oxidation of Si1-xGex epitaxial layers. The oxidation processes were performed in dry O-2 at 1000 degreesC for times up to 600 s. Our data show an oxide growth rate enhancement with respect to pure Si. Except for a very small amount of GeO2 that is found at the surface, all the Ge is rejected towards the SiO2/SiGe interface, forming a Ge-enriched layer free of extended defects. The comparison of our results for dry processes with those reported in the literature for wet ambient supports the idea that the kinetics of SiGe oxidation is controlled by similar mechanisms in both cases, in contrast with models and interpretations so far proposed. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• SILVIA SCALESE (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR di

• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• SILVIA SCALESE (Persona)

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• Applied physics letters (Rivista)