http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/ID35422

Temperature dependence of the c-axis mobility in 6H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista)

Type

Label

Temperature dependence of the c-axis mobility in 6H-SiC Schottky diodes (Articolo in rivista) (literal)

Anno

Alternative label

Roccaforte F., La Via F., Raineri V., Mangano F., Calcagno L. (2003)
Temperature dependence of the c-axis mobility in 6H-SiC Schottky diodes
in Applied physics letters
(literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

Pagina inizio

Pagina fine

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni

Si tratta di un lavoro di ricerca di base sulle proprietà fondamentali del trasporto di carica in 6H-SiC. Il know-how acquisito permette avanzamenti importanti anche sul piano tecnologico, per la realizzazione di prototipi di dispositivi innovativi in SiC. Fattore di impatto della rivista (2002): 4.207 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

Rivista

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto

Si tratta di un lavoro nel quale viene determinata la dipendenza dalla temperatura della mobilità in carburo di silicio (6H-SiC) lungo l'asse c attraverso lo studio delle caratteristiche I-di diodi Schottky. La procedura consiste nell'usare misure di resistenza serie con il metodo Norde per estrarre i valori di mobilità nello strato epitassiale. Nell'intervallo di temperatura tra 298 e 448 K, abbiamo osservato una dipendenza dalla temperature come l'inverso della temperatura al quadrato. Questo risultato suggerisce che lo scattering da reticolo, insieme allo scattering da difetti nel materiale, regola il trasporto di carica a queste temperature. (literal)

Note

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

Titolo

Temperature dependence of the c-axis mobility in 6H-SiC Schottky diodes (literal)

Abstract

In this work, the temperature dependence of the mobility along the c axis in silicon carbide (6H-SiC) was determined from the I-V characteristics of Schottky diodes. This procedure used series resistance measurements with Norde's method in Schottky diodes for extracting the mobility values in the epitaxial layer. For a dopant concentration of 3x10(15) cm(-3), at room temperature a value of 61 cm(2) V-1 s(-1) was found, which decreased to 24 cm(2) V-1 s(-1) at 448 K. In the temperature range 298-448 K, a dependence of the mobility as T-2.1 was determined. This result suggests that the lattice scattering, together with other mechanisms such as scattering with defects in the material, rule the carrier transport in this temperature range. (literal)

Prodotto di