Structural characterization of ZnSe/ZnMgSe MQWs grown on (100)GaAs by low pressure MOVPE (Articolo in rivista)

Type
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  • Structural characterization of ZnSe/ZnMgSe MQWs grown on (100)GaAs by low pressure MOVPE (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1016/S0022-0248(02)01881-X (literal)
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  • Prete P. 1, Lovergine N. 2, Di Luccio T. 3, Tapfer L. 3, Mancini A.M. 2 (2003)
    Structural characterization of ZnSe/ZnMgSe MQWs grown on (100)GaAs by low pressure MOVPE
    in Journal of crystal growth
    (literal)
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  • Prete P. 1, Lovergine N. 2, Di Luccio T. 3, Tapfer L. 3, Mancini A.M. 2 (literal)
Pagina inizio
  • 56 (literal)
Pagina fine
  • 61 (literal)
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  • Eterostrutture di composti II-VI a buca quantica multipla di ZnSe/ZnMgSe sono interessanti sistemi per la realizzazione di LED operanti nel blu e nel blu-verde. Per raggiungere una condizione di matching reticolare, tali strutture devono essere depositate su GaAs per bassi contenuti di Mg nelle barriere. Questo lavoro riporta lo studio delle proprieta' strutturali di buche quantiche multiple di ZnSe/ZnMgSe di differenti periodi depositate su GaAs. Misure di diffrazione e di riflessione speculare di raggi X assieme alle simulazioni teoriche dei pattern di diffrazione hanno permesso di determinare lo spessore critico per il rilassamento plastico. (literal)
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  • 248 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali
  • 6 (literal)
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  • Sono state studiate le proprieta' strutturali di buche quantiche multiple di ZnSe/ZnMgSe con differente numero di periodi realizzate per MOVPE, per applicazioni nell'optoelettronica blu-verde. Diffrazione X ad alta risoluzione, misure di raggi X in riflesione speculare(XSR)e loro simulazioni hanno permesso di valutare lo spessore dei vari strati e la composizione degli strati barriera. Fino ad un massimo di 8 periodi le strutture sono pseudomorfe, mentre gia' con 10 periodi evidenziano un parziale rilassamento.E' stato stimato un valore di spessore critico compreso tra 92 e 113 nm. Il confronto tra i dati sperimentali e le simulazioni di misure XSR ha permesso di determinare la rugosita' ad ogni interfaccia del multistrato con un aumento lineare lungo la direzione di crescita a causa di un effetto cumuulativo. (literal)
Note
  • Scopu (literal)
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • 1 IMM-CNR Sezione di Lecce, 2 Dipartimento Ingegneria innovazione Universita' di Lecce, 3 ENEA UTS-MAT Centro Ricerche Brindisi (literal)
Titolo
  • Structural characterization of ZnSe/ZnMgSe MQWs grown on (100)GaAs by low pressure MOVPE (literal)
Abstract
  • A detailed structural characterization of ZnSe/ZnMgSe multiple quantum wells (MQWs) grown on GaAs by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy is presented. ZnSe/Zn0.83Mg0.17Se MQWs having between 6 and 12 periods ere deposited at 330degreesC and 304 mbar reactor pressure on( 1 0 0)GaAs after a 4.2 nm ZnSe buffer layer. The MQWs had nominal 4.4 nm thick ZnSe wells and 53 nm thick Zn(0.83)Ma(0.17)Se barriers. The MQW structural properties were investigated by high-resolution X-ray diffraction (HRXRD) and X-ray specular reflectivity (XSR) measurements, Besides the MQWs-substrate mismatch. simulation of the HRXRD and XSR patterns allowed to determine the MQW period. individual layer thickness and barrier composition. Between 8 and 10 periods the MQW structure begins to relax. its critical thickness on GaAs being between 92 and 113 nm. Furthermore. HRXRD showed broader zeroth and first-order satellite Peaks with increasing MQW periods. a result ascribed to strain fluctuations induced by either inhomogeneous Mg incorporation in the ZnSe lattice and. or interface roughening. Comparison or experimental and simulated XSR patterns allowed to determine the rms roughness at each multilayer interface, which linearly increases along the growth direction due to a cumulative intrinsic roughening. (literal)
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