Ion-channeling analysis of As relocation in heavily doped Si: As irradiated with high-energy ions (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Ion-channeling analysis of As relocation in heavily doped Si: As irradiated with high-energy ions (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Lulli G., Albertazzi E., Bianconi M., Ferri M. (2003)
    Ion-channeling analysis of As relocation in heavily doped Si: As irradiated with high-energy ions
    in Journal of applied physics
    (literal)
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  • Lulli G., Albertazzi E., Bianconi M., Ferri M. (literal)
Pagina inizio
  • 6215 (literal)
Pagina fine
  • 6217 (literal)
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  • Fattore di impatto della rivista (2002): 2.281 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 94 (literal)
Rivista
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  • L'articolo indaga l'effetto dell'irraggiamento con ioni di alta energia sulle proprieta' elettriche e strutturali di un film di Silicio cristallino fortemente drogato con Arsenico in un wafer SOI (Silicon on Insulator). La simulazione di misure di Rutherford-Backscattering channeling (RBS-C) e la misura della concentrazione di portatori prima e dopo irraggiamento, consentono di correlare le variazioni delle proprieta' elettriche e strutturali indotte dall'irraggiamento. Viene evidenziato che l'irraggiamento produce una ricollocazione preferenziale degli atomi di As in soluzione, e una elevata riduzione della frazione elettricamente attiva. A differenza di precedenti interpretazioni, i risultati del presente lavoro sembrano mostrare che l'effetto di ricollocazione preferenziale e' legato ad uno spostamento degli atomi di As gia` elettricamente inattivi prima dell'irraggiamento e che formano complessi con vacanze reticolari. Inoltre si deduce che la marcata diminuzione della frazione di As elettricamente attiva conseguente a irraggiamento e' probabilmente dovuta alla formazione di difetti che fungono da trappole per i portatori, e non alla diffusione e cattura dei difetti puntiformi da parte dell'As. (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • 1 IMM-CNR Sezione di Bologna, Bologna (Italy) (literal)
Titolo
  • Ion-channeling analysis of As relocation in heavily doped Si: As irradiated with high-energy ions (literal)
Abstract
  • Silicon on insulator layers doped with 8e20 As cm-2 and thermally equilibrated at 1100 °C, have been irradiated with 2 MeV Si+ ions. Rutherford backscattering channeling analysis shows an increase in As disorder upon irradiation significantly larger than the increase in Si disorder, while electrical measurements show a large decrease in electrical activation. Monte Carlo simulation of channeling angular scans suggests that the enhanced As disorder effect is due to the preferential relocation of dopant atoms slightly displaced from lattice sites, which appear the main reason responsible for the electrical deactivation in the unirradiated sample and are believed to be in the form of As vacancy clusters. Upon 600 °C 15 s annealing, the As atoms randomly relocated by ion irradiation almost completely recover their original configuration, probably capturing vacancies and forming, again, the complexes dissociated by ion irradiation. (literal)
Prodotto di
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