Dielectric properties of Pr2O3 high-k films grown by metalorganic chemical vapor deposition on silicon (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Dielectric properties of Pr2O3 high-k films grown by metalorganic chemical vapor deposition on silicon (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.1580633 (literal)

Alternative label

• Lo Nigro R., Raineri V., Bongiorno C., Toro R., Malandrino G., Fragala I.L. (2003)
  Dielectric properties of Pr2O3 high-k films grown by metalorganic chemical vapor deposition on silicon
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Lo Nigro R., Raineri V., Bongiorno C., Toro R., Malandrino G., Fragala I.L. (literal)

Pagina inizio

• 129 (literal)

Pagina fine

• 131 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 83 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 1 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMM-CNR Istituto per la microelettronica e microsistemi Dipartimento Scienze Chimiche, Università degli Studi di Catania (literal)

Titolo

• Dielectric properties of Pr2O3 high-k films grown by metalorganic chemical vapor deposition on silicon (literal)

Abstract

• Praseodymium oxide (Pr2O3) thin films have been deposited on Si(100) substrates by metalorganic chemical vapor deposition using praseodymium tris-2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptandionate as source material. Film structural, morphological, and compositional characterizations have been carried out. Dielectric properties have been studied as well by capacitance-voltage and current-voltage measurements on metal-oxide-semiconductor capacitors of several areas. The Pr2O3 films have shown a dielectric constant epsilon=23-25 and a leakage current density of 8.8x10(-8) A/cm(2) at + 1 V. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)

Autore CNR

• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• ROBERTA GRAZIA TORO (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• VITO RAINERI (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• VITO RAINERI (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)
• ROBERTA GRAZIA TORO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)