Role of the indium-carbon interaction on In diffusion and activation in Si (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Role of the indium-carbon interaction on In diffusion and activation in Si (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • La Magna A., Scalese S., Alippi P., Mannino G., Privitera V., Bersani M., Zechner C. (2003)
    Role of the indium-carbon interaction on In diffusion and activation in Si
    in Applied physics letters
    (literal)
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  • La Magna A., Scalese S., Alippi P., Mannino G., Privitera V., Bersani M., Zechner C. (literal)
Pagina inizio
  • 1956 (literal)
Pagina fine
  • 1958 (literal)
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  • Si tratta di un lavoro molto importante per l'eventuale introduzione dell'In nella tecnologia ULSI in silicio come approccio alternativo per la realizzazione di giunzioni ultra-sottili. Fattore di impatto della rivista (2002): 4.207 (literal)
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  • 83 (literal)
Rivista
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  • Si è sviluppato un modello teorico che ha permesso di determinare i parametri energetici necessari per simulare in modo efficace i profili sperimentali. In particolare, considerando anche la presenza di C e l’interazione di questo con l’In e con i difetti, è stato possibile simulare, con un ottimo accordo, i risultati sperimentali relativi all’attivazione elettrica e alla diffusione dell’In. (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • 1 IMM-CNR Sezione di Catania 2 IRST Trento (literal)
Titolo
  • Role of the indium-carbon interaction on In diffusion and activation in Si (literal)
Abstract
  • We present a theoretical approach to the study of C influence on In diffusion and activation in Si. We consider a kick-out type model for the defect driven migration of both species, while we assume that InC complexes form by the interaction between the defect-impurity pairs and the substitutional species. Moreover, we introduce a double-level activation model in order to calculate the active fraction of the diffusion profiles. In parameters are derived both from ab initio calculations and from fitting the experimental diffusion profiles. The modeling is used in order to explain experimental data relative to In implanted into Si substrates containing different C contamination background. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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