Electroluminescence properties of light emitting devices based on silicon nanocrystals (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Electroluminescence properties of light emitting devices based on silicon nanocrystals (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/S1386-9477(02)00609-4 (literal)

Alternative label

• A. Irrera, D. Pacifici, M. Miritello, G. Franzò, F. Priolo, F. Iacona D. Sanfilippo, G. Di Stefano, and P.G. Fallica (2003)
  Electroluminescence properties of light emitting devices based on silicon nanocrystals
  in Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Print)
  (literal)

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• A. Irrera, D. Pacifici, M. Miritello, G. Franzò, F. Priolo, F. Iacona D. Sanfilippo, G. Di Stefano, and P.G. Fallica (literal)

Pagina inizio

• 395 (literal)

Pagina fine

• 399 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 16 (literal)

Rivista

• Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 3-4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR, IMM, Sez Catania, Stradale Primosole 50, I-95121 Catania, Italy. Univ Catania, INFM, I-95129 Catania, Italy Univ Catania, Dipartimento Fis & Astron, I-95129 Catania, Italy STMicroelect, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Electroluminescence properties of light emitting devices based on silicon nanocrystals (literal)

Abstract

• We have fabricated MOS devices where the dielectric layer consists of a substoichiometric SiQ(x) (x < 2) thin film, annealed at 1100degreesC for I h to induce the separation of the Si and SiO2 phases, with the formation of silicon nanocrystals (nc) embedded in the insulating matrix. We have studied the electroluminescence (EL) properties of such devices as a function of the current density and of the temperature. We have evaluated the excitation cross section of Si nc under electrical pumping at room temperature and at low temperature (12 K). Moreover, we have used the experimental EL intensities and decay times to evaluate the radiative rate as a function of the temperature. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)
• MARIA PILAR MIRITELLO (Unità di personale interno)
• FABIO SANTO IACONA (Persona)
• ALESSIA IRRERA (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)
• ALESSIA IRRERA (Persona)
• FABIO SANTO IACONA (Persona)
• MARIA PILAR MIRITELLO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

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• Physica. E, Low-dimensional systems and nanostructures (Rivista)