Dynamics of stimulated emission in silicon nanocrystals (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Dynamics of stimulated emission in silicon nanocrystals (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.1586779 (literal)

Alternative label

• L. Dal Negro, M. Cazzanelli, L. Pavesi, S. Ossicini, D. Pacifici, G. Franzò, F. Priolo, F. Iacona (2003)
  Dynamics of stimulated emission in silicon nanocrystals
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• L. Dal Negro, M. Cazzanelli, L. Pavesi, S. Ossicini, D. Pacifici, G. Franzò, F. Priolo, F. Iacona (literal)

Pagina inizio

• 4636 (literal)

Pagina fine

• 4638 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 82 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 26 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Univ Trento, Dipartimento Fis, INFM, I-38050 Trent, Italy Univ Modena & Reggio Emilia, INFMS3, I-42100 Reggio Emilia, Italy Univ Modena & Reggio Emilia, Dipartimento Sci & Metodi Ingn, I-42100 Reggio Emilia, Italy Univ Catania, Dipartimento Fis & Astron, INFM, I-95123 Catania, Italy CNR, IMM, Sez Catania, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• Dynamics of stimulated emission in silicon nanocrystals (literal)

Abstract

• Time-resolved luminescence measurements on silicon nanocrystal waveguides obtained by thermal annealing of plasma-enhanced chemical-vapor-deposited thin layers of silicon-rich oxide have revealed fast recombination dynamics related to population inversion which leads to net optical gain. Variable stripe length measurements performed on the fast emission signal have shown an exponential growth of the amplified spontaneous emission with net gain values of about 10 cm(-1). The fast emission component is strongly dependent on the pumping length for fixed excitation intensity. In addition, both the fast component intensity and its temporal decay revealed threshold behavior as a function of the incident pump intensity. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• FABIO SANTO IACONA (Persona)
• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)

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Autore CNR di

• GIORGIA FRANZO' (Unità di personale interno)
• FABIO SANTO IACONA (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

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• Applied physics letters (Rivista)