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Application of convergent beam electron diffraction to two-dimensional strain mapping in silicon devices (Articolo in rivista)

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Application of convergent beam electron diffraction to two-dimensional strain mapping in silicon devices (Articolo in rivista) (literal)

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Armigliato A., Balboni R., Carnevale G.P., Pavia G. , Piccolo D., Frabboni S., Benedetti A., Cullis A.G. (2003)
Application of convergent beam electron diffraction to two-dimensional strain mapping in silicon devices
in Applied physics letters; AMER INST PHYSICS, MELVILLE, NY (Stati Uniti d'America)
(literal)

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Armigliato A., Balboni R., Carnevale G.P., Pavia G. , Piccolo D., Frabboni S., Benedetti A., Cullis A.G. (literal)

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Questa ricerca s'inquadra nell'attivita' del progetto europeo STREAM (IST.1999-10341, FP5) concluso nel 2002. L'analisi della deformazione nelle regioni attive di dispositivi al silicio con risoluzione spaziale nanometrica e' d'interesse per l'industria microelettronica (coautori del lavoro sono infatti ricercatori di STMicroelectronics). Il software CBED descritto è stato implementato nel software commerciale AnalySIS della ditta SIS GmbH di Muenster (Olympus Group), partner di STREAM. Ulteriori informazioni al sito http://stream.bo.cnr.it (literal)

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Rivista

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Metodo per ottenere mappe bidimensionali quantitative di deformazione mediante impiego della diffrazione elettronica a fascio convergente (CBED) nel microscopio elettronico a trasmissione (TEM). La procedura si svolge in due fasi: a) acquisizione di un database di spettri di diffrazione ottenuti nell'area d'interesse di un dispositivo elettronico (es. struttura d'isolamento a shallow-trench) spostando automaticamente in modo digitale il fascio elettronico su successive nanoaree di 1 nm di diametro b) calcolo del tensore di deformazione in ogni punto, mediante il software CBED sviluppato nella sezione di Bologna dell'IMM. In tal modo si ottiene un plot 2D di una qualunque componente del tensore (ad es. della traccia, che fornisce la variazione volumetrica locale della cella cristallina del silicio). Viene riportato un esempio di applicazione a strutture in sezione trasversale, fabbricate per la tecnologia delle memorie flash da 0.15 micron. (literal)

Note

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IMM-CNR Sezione di Bologna STMicroelectronics Agrate (Milano) Università di Modena-Reggio Emilia e INFM-S3 Università di Sheffield (UK) (literal)

Titolo

Application of convergent beam electron diffraction to two-dimensional strain mapping in silicon devices (literal)

Abstract

A method of obtaining quantitative two-dimensional (2D) maps of strain by the convergent beam electron diffraction technique in a transmission electron microscope is described. It is based on the automatic acquisition of a series of diffraction patterns generated from digital rastering the electron spot in a matrix of points within a selected area of the sample. These patterns are stored in a database and the corresponding strain tensor at each point is calculated, thus yielding a 2D strain map. An example of application of this method to cross-sectioned cells fabricated for the 0.15 mm technology of flash memories is reported. (literal)

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