Electrical properties of tisi2 clusters in poly-Si (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Electrical properties of tisi2 clusters in poly-Si (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Piro A.M., Alessandrino M.S., Bongiorno C., La Via F., Spinella C., Grimaldi M.G. (2002)
  Electrical properties of tisi2 clusters in poly-Si
  in Microelectronic engineering
  (literal)

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• Piro A.M., Alessandrino M.S., Bongiorno C., La Via F., Spinella C., Grimaldi M.G. (literal)

Pagina inizio

• 197 (literal)

Pagina fine

• 204 (literal)

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• 64 (literal)

Rivista

• Microelectronic engineering (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• Dipartimento di Fisica Università di Catania, CNR-IMM (literal)

Titolo

• Electrical properties of tisi2 clusters in poly-Si (literal)

Abstract

• Clusters of TiSi were formed in a polysilicon matrix by thermal annealing of a Ti-Si multilayer structure. The silicide grain size was varied by suitable thermal treatments. The DC electrical resistivity of the composite material has been measured in the 4-500 K temperature range by van der Pauw technique. Structural characterisation was performed by transmission electron microscopy equipped with an electron energy loss spectrometer. The dependence of resistivity on temperature indicated that at low temperature the electric transport occurs by percolation through connected TiSi grains, whilst at high temperature hopping between insulated grain dominates. The volume fraction of percolating grains and the hopping probability has been derived from the fit of the experimental data. (literal)

Prodotto di

• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi processi per la produzione di wafer di Carburo di Silicio e nuove applicazioni nell'ambito del fotovoltaico e dei MEMS (MD.P05.009.001) (Modulo)

Autore CNR di

• FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• CORRADO BONGIORNO (Unità di personale interno)

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• Microelectronic engineering (Rivista)