Characteristics of InN grown on SiC under the In-rich regime by molecular beam epitaxy (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Characteristics of InN grown on SiC under the In-rich regime by molecular beam epitaxy (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2424664 (literal)

Alternative label

• M. Losurdo, M. Giangregorio, G. Bruno, T.H. Kim, S. Choi, P. Wu, A. Brown, F. Masia, M. Capizzi, A Polimeni (2007)
  Characteristics of InN grown on SiC under the In-rich regime by molecular beam epitaxy
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• M. Losurdo, M. Giangregorio, G. Bruno, T.H. Kim, S. Choi, P. Wu, A. Brown, F. Masia, M. Capizzi, A Polimeni (literal)

Pagina inizio

• 011910 (literal)

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• http://www.cnr.it (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 90 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

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• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 1 (literal)

Note

• Scopu (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. Inst Inorgan Methodologies & Plasmas, CNR, I-70126 Bari, Italy 2. Duke Univ, Dept Elect & Comp Engn, Durham, NC 27798 USA 3. Duke Univ, Dept Elect & Comp Engn, Durham, NC 27798 USA 4. Univ Roma La Sapienza, CNISM, I-00185 Rome, Italy 5. Univ Roma La Sapienza, Dipartimento Fis, I-00185 Rome, Italy (literal)

Titolo

• Characteristics of InN grown on SiC under the In-rich regime by molecular beam epitaxy (literal)

Abstract

• InN epitaxial films were grown by N-2 plasma-assisted molecular beam epitaxy on 4H- and 6H-SiC substrates using low-temperature InN nucleation layers. InN films grown at various In fluxes under the In-rich regime show improved crystal quality, surface morphology, and optical properties, without sizable metallic In incorporation. Photoluminescence measurements show emission up to room temperature, band gap values as low as 0.64 eV at T=10 K, and carrier concentrations of the order of 8x10(17) cm(-3). (literal)

Prodotto di

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)

Autore CNR

• MARIA MICHELA GIANGREGORIO (Persona)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)
• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Characteristics of InN grown on SiC under the In-rich regime by molecular beam epitaxy" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)
• MARIA MICHELA GIANGREGORIO (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Characteristics of InN grown on SiC under the In-rich regime by molecular beam epitaxy" (Insieme di parole chiave)