The impact of SiC substrate treatment on the heteroepitaxial growth of GaN by plasma assisted MBE (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• The impact of SiC substrate treatment on the heteroepitaxial growth of GaN by plasma assisted MBE (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• A.S. Brown, M. Losurdo, T.H. Kim, M.M. Giangregorio, S. Choi, M.Morse, P. Wu, P. Capezzuto, G. Bruno (2005)
  The impact of SiC substrate treatment on the heteroepitaxial growth of GaN by plasma assisted MBE
  in Crystal research and technology (1981)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• A.S. Brown, M. Losurdo, T.H. Kim, M.M. Giangregorio, S. Choi, M.Morse, P. Wu, P. Capezzuto, G. Bruno (literal)

Pagina inizio

• 997 (literal)

Pagina fine

• 1002 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 40 (literal)

Rivista

• Crystal research and technology (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Titolo

• The impact of SiC substrate treatment on the heteroepitaxial growth of GaN by plasma assisted MBE (literal)

Prodotto di

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)

Autore CNR

• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• MARIA MICHELA GIANGREGORIO (Persona)
• PIO CAPEZZUTO (Persona)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)
• MARIA MICHELA GIANGREGORIO (Persona)
• PIO CAPEZZUTO (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Crystal research and technology (Rivista)