A novel mechanism to explain wafer bending during the growth of SiC films on Si (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• A novel mechanism to explain wafer bending during the growth of SiC films on Si (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.matlet.2007.11.066 (literal)

Alternative label

• Watts B. E.; Attolini G.; Bosi M.; Frigeri C. (2008)
  A novel mechanism to explain wafer bending during the growth of SiC films on Si
  in Materials letters (Gen. ed.); Elsevier BV, Amsterdam (Paesi Bassi)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Watts B. E.; Attolini G.; Bosi M.; Frigeri C. (literal)

Pagina inizio

• 2133 (literal)

Pagina fine

• 2135 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167577X07011354 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 62 (literal)

Rivista

• Materials letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• In: Materials Letters, vol. 62 pp. 2133 - 2135. Elsevier B.V, 2008. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 14 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMEM, Parma (literal)

Titolo

• A novel mechanism to explain wafer bending during the growth of SiC films on Si (literal)

Abstract

• Wafer bending is a serious problem that affects the growth of cubic silicon carbide on silicon. Thermal and lattice mismatch are often cited as the causes of stress in this system, but they alone cannot account for severe wafer warp seen in many cases. This work proposes diffusion-induced stress as a new mechanism that can explain the extreme degree of bending observed. (literal)

Editore

• Elsevier BV (Editore)

Prodotto di

• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• CESARE FRIGERI (Persona)
• MATTEO BOSI (Persona)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• BERNARD ENRICO WATTS (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "A novel mechanism to explain wafer bending during the growth of SiC films on Si" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• BERNARD ENRICO WATTS (Unità di personale interno)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• CESARE FRIGERI (Persona)
• MATTEO BOSI (Persona)

Editore di

• Elsevier BV (Editore)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Materials letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "A novel mechanism to explain wafer bending during the growth of SiC films on Si" (Insieme di parole chiave)