MOVPE growth of homoepitaxial germanium (Articolo in rivista)

Type
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  • MOVPE growth of homoepitaxial germanium (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
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  • 10.1016/j.jcrysgro.2008.04.009 (literal)
Alternative label
  • Bosi M. a; Attolini G. a; Ferrari C. a; Frigeri C. a; Rimada Herrera J. C. a; Gombia E. a; Pelosi C. a; Peng R.W. b (2008)
    MOVPE growth of homoepitaxial germanium
    in Journal of crystal growth; elsevier B.V., Amsterdam (Paesi Bassi)
    (literal)
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  • Bosi M. a; Attolini G. a; Ferrari C. a; Frigeri C. a; Rimada Herrera J. C. a; Gombia E. a; Pelosi C. a; Peng R.W. b (literal)
Pagina inizio
  • 3282 (literal)
Pagina fine
  • 3286 (literal)
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  • 1) Siamo favorevoli alla valutazione della ricerca. Tuttavia prima si devono definire criteri e obiettivi dell'attivita' da svolgere e poi, al termine del periodo, si valutano i risultati. 2) I criteri devono essere coerenti con la missione dell'ente oggetto della valutazione: CNR e Universita' hanno finalita' diverse 3) Il presente metodo di valutazione ha molti limiti e rischia di produrre risultati distorti. Per esempio il lavoro di squadra, essenziale per progetti di ricerca applicata, viene fortemente penalizzato. (literal)
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  • http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002202480800273X (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 310 (literal)
Rivista
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  • In: Journal of Crystal Growth, vol. 310 (14) pp. 3282 - 3286. Elsevier, 2008. (literal)
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  • 14 (literal)
Note
  • Scopu (literal)
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • a CNR-IMEM Institute, Parco Area delle Scienze 37/A, 43010 Fontanini, Parma, Italy; b National Laboratory of Solid State Microstructures, Department of Physics, Nanjing University, Nanjing, 210093, China (literal)
Titolo
  • MOVPE growth of homoepitaxial germanium (literal)
Abstract
  • n-Type Ge epitaxial layers were deposited on p-type Ge substrates by means of metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE) at temperatures ranging from 500 to 600 °C using isobutylgermane (iBuGe) as metal-organic precursor and hydrogen as carrier gas. The samples were grown at different iBuGe partial pressure conditions and were characterised by means of atomic force microscopy (AFM), high-resolution X-ray diffraction (HR-XRD), scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM) and Raman spectroscopy. The layers grown with iBuGe partial pressure of 3.3×10-6 bar at 550 °C show a good crystallographic structure, flat surface and a good interface with the substrate, while for lower partial pressures a series of pits was evidenced on the layer. The pit density was found to be dependent on the growth rate. n-Ge/p-Ge diodes, obtained with standard photolitographic techniques, show rectification ratios higher than 105 and ideality factors in the 1.008-1.010 range. (literal)
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Autore CNR
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