Field dependence of the carrier injection mechanisms in InGaN Quantum wells: Its effect on the luminescence properties of blue light emitting diodes (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Field dependence of the carrier injection mechanisms in InGaN Quantum wells: Its effect on the luminescence properties of blue light emitting diodes (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Rossi F.; Salviati G.; Pavesi M.; Manfredi M.; Meneghini M.; Zanoni E.; Zehnder U. (2008)
  Field dependence of the carrier injection mechanisms in InGaN Quantum wells: Its effect on the luminescence properties of blue light emitting diodes
  in Journal of applied physics
  (literal)

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• Rossi F.; Salviati G.; Pavesi M.; Manfredi M.; Meneghini M.; Zanoni E.; Zehnder U. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 103 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• In: Journal of Applied Physics, vol. 103 article n. 093504. American Institute of Physics, 2008. (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMEM, Parma, Dipartimento di Fisica, Università di Parma, DEI, Università di Padova, Osram Optosemiconductors, Germany (literal)

Titolo

• Field dependence of the carrier injection mechanisms in InGaN Quantum wells: Its effect on the luminescence properties of blue light emitting diodes (literal)

Abstract

• Carrier injection and radiative recombination processes in InGaN/GaN blue light emitting diodes are investigated by bias-dependent cathodoluminescence. The samples are designed with a single-quantum-well (SQW) light emitter and an adjacent multi-quantum-well (MQW) carrier injector of lower In content. In unbiased samples, the MQW emission dominates over the SQW at high temperatures (T160 K) or low beam currents (IB5 nA). This is ascribed to changes in the device energy band diagram, dependent on the field in the p-n junction and on the level of electron beam induced excitation of excess carriers. A field screening, resulting in a forward biasing of the devices, is highlighted. A maximum value of +2.65 V is reached at T (literal)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCA ROSSI (Persona)
• GIANCARLO SALVIATI (Persona)
• MAURA PAVESI (Unità di personale esterno)
• Enrico Zanoni (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Field dependence of the carrier injection mechanisms in InGaN Quantum wells: Its effect on the luminescence properties of blue light emitting diodes" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIANCARLO SALVIATI (Persona)
• MAURA PAVESI (Unità di personale esterno)
• Enrico Zanoni (Unità di personale esterno)
• FRANCESCA ROSSI (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of applied physics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Field dependence of the carrier injection mechanisms in InGaN Quantum wells: Its effect on the luminescence properties of blue light emitting diodes" (Insieme di parole chiave)